PUMD10,115

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho

$0.37

10+

$0.303

100+

$0.161

500+

$0.106

1000+

$0.072

Yêu cầu thông tin trực tuyến

Thông số kỹ thuật

Số Phần

PUMD10,115
Nhà sản xuất / Thương hiệu

Nexperia
Số lượng cổ phiếu

Trong kho
Sự miêu tả

TRANS NPN/PNP PREBIAS 6TSSOP
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS

Không có chì / tuân thủ RoHS
Bảng dữ liệu

PUMD10,115.pdf
Mô hình ECAD
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic

100mV @ 250µA, 5mA
Loại bóng bán dẫn

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Gói thiết bị nhà cung cấp

6-TSSOP
Loạt

-
Điện trở - Cơ sở Emitter (R2)

47 kOhms
Điện trở - Cơ sở (R1)

2.2 kOhms
Power - Max

300mW
Bao bì

Cut Tape (CT)
Gói / Case

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vài cái tên khác

1727-1154-1
568-10322-1
568-10322-1-ND
gắn Loại

Surface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL)

1 (Unlimited)
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tần số - Transition

230MHz
miêu tả cụ thể

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230MHz 300mW Surface Mount 6-TSSOP
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE

100 @ 10mA, 5V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max)

100mA
Số phần cơ sở

MD10

Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "PUMD10,115".

PUMB2,115

Sự miêu tả: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP

Nhà sản xuất của: Nexperia

Trong kho

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Đăng ký trước

PUMD10,115

Yêu cầu báo giá

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

New ICs From Rohm, Toshiba, and Nexperia Target Automotive ...

Chọn ngôn ngữ

Ngôn ngữ hiện tại