Cho khách truy cập tại Electronica 2024

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Hội trường C5 Gian hàng 220

Đăng ký trước

Cho khách truy cập tại Electronica 2024
Bạn có thể đăng ký tất cả! Cảm ơn bạn đã đặt một cuộc hẹn!
Chúng tôi sẽ gửi cho bạn vé gian hàng qua email sau khi chúng tôi đã xác minh đặt chỗ của bạn.
Nhà > Các sản phẩm > Sản phẩm bán dẫn rời > Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng, Pre-Biased > DMG264050R
RFQs/đơn đặt hàng (0)
Tiếng Việt
Tiếng Việt
6453838

DMG264050R

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho
3000+
$0.115
6000+
$0.108
15000+
$0.101
30000+
$0.093
Yêu cầu thông tin trực tuyến
Thông số kỹ thuật
  • Số Phần
    DMG264050R
  • Nhà sản xuất / Thương hiệu
    Panasonic
  • Số lượng cổ phiếu
    Trong kho
  • Sự miêu tả
    TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6
  • Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS
    Không có chì / tuân thủ RoHS
  • Bảng dữ liệu
    DMG264050R.pdf
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
    50V
  • VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 500µA, 10mA
  • Loại bóng bán dẫn
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Gói thiết bị nhà cung cấp
    Mini6-G4-B
  • Loạt
    -
  • Điện trở - Cơ sở Emitter (R2)
    -
  • Điện trở - Cơ sở (R1)
    10 kOhms
  • Power - Max
    300mW
  • Bao bì
    Tape & Reel (TR)
  • Gói / Case
    SOT-23-6
  • Vài cái tên khác
    DMG264050R-ND
    DMG264050RTR
  • gắn Loại
    Surface Mount
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Thời gian chuẩn của nhà sản xuất
    11 Weeks
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tần số - Transition
    -
  • miêu tả cụ thể
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount Mini6-G4-B
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE
    160 @ 5mA, 10V
  • Hiện tại - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Hiện tại - Collector (Ic) (Max)
    100mA
  • Số phần cơ sở
    DMG26405

Được biết, Kioxia sẽ nhận được sự chấp thuận ni...

2024/11/21

Nền tảng quang học silicon mới nhất của SemicDolator ...

2024/11/20

Ngành công nghiệp phục hồi chậm.Nhà cung cấp epitic...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Nhà cung cấp: Một số lượng lớn các thành phần GPU...

2024/11/18

Đài Loan, giá trị sản lượng của chất bán dẫn Tru...

2024/11/17

Mở rộng sản xuất các tấm OLED, màn hình LG sẽ đầ...

2024/11/15

Amazon tăng nỗ lực tạo ra chip AI tùy chỉnh, giảm s...

2024/11/14

Lợi nhuận ròng quý 3 của Pegatron là 4,296 tỷ đô l...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Hàn Quốc có kế hoạch ban hành Đạo luật Chip để c...

2024/11/13
Đang chuyển hàng
Sự chi trả
Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "DMG264050R".
DMG264010R

DMG264010R

Sự miêu tả: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6

Nhà sản xuất của: Panasonic
Trong kho
RFQ
DMG263010R

DMG263010R

Sự miêu tả: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI5

Nhà sản xuất của: Panasonic
Trong kho
RFQ
DMG264040R

DMG264040R

Sự miêu tả: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6

Nhà sản xuất của: Panasonic
Trong kho
RFQ
DMG2305UXQ-13

DMG2305UXQ-13

Sự miêu tả: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23

Nhà sản xuất của: Diodes Incorporated
Trong kho
RFQ
DMG301NU-7

DMG301NU-7

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23

Nhà sản xuất của: Diodes Incorporated
Trong kho
RFQ
DMG2305UX-13

DMG2305UX-13

Sự miêu tả: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23

Nhà sản xuất của: Diodes Incorporated
Trong kho
RFQ
DMG2307L-7

DMG2307L-7

Sự miêu tả: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23

Nhà sản xuất của: Diodes Incorporated
Trong kho
RFQ
DMG264120R

DMG264120R

Sự miêu tả: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6

Nhà sản xuất của: Panasonic
Trong kho
RFQ
DMG2305UX-7

DMG2305UX-7

Sự miêu tả: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23

Nhà sản xuất của: Diodes Incorporated
Trong kho
RFQ
DMG3401LSN-7

DMG3401LSN-7

Sự miêu tả: MOSFET P-CH 30V 3A SC59

Nhà sản xuất của: Diodes Incorporated
Trong kho
RFQ
DMG301NU-13

DMG301NU-13

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23

Nhà sản xuất của: Diodes Incorporated
Trong kho
RFQ
DMG302PU-13

DMG302PU-13

Sự miêu tả: MOSFET P-CH 25V .17A SOT-23

Nhà sản xuất của: Diodes Incorporated
Trong kho
RFQ
DMG264H00R

DMG264H00R

Sự miêu tả: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6

Nhà sản xuất của: Panasonic
Trong kho
RFQ
DMG263020R

DMG263020R

Sự miêu tả: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI5

Nhà sản xuất của: Panasonic
Trong kho
RFQ
DMG2305UXQ-7

DMG2305UXQ-7

Sự miêu tả: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23

Nhà sản xuất của: Diodes Incorporated
Trong kho
RFQ
DMG3402L-7

DMG3402L-7

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

Nhà sản xuất của: Diodes Incorporated
Trong kho
RFQ
DMG302PU-7

DMG302PU-7

Sự miêu tả: MOSFET P-CH 25V .17A SOT-23

Nhà sản xuất của: Diodes Incorporated
Trong kho
RFQ
DMG264060R

DMG264060R

Sự miêu tả: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6

Nhà sản xuất của: Panasonic
Trong kho
RFQ
DMG3404L-13

DMG3404L-13

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23

Nhà sản xuất của: Diodes Incorporated
Trong kho
RFQ
DMG264020R

DMG264020R

Sự miêu tả: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W MINI6

Nhà sản xuất của: Panasonic
Trong kho
RFQ
Là nhà phân phối thị trường mở công khai duy nhất, chúng tôi sở hữu một sự kết hợp độc đáo giữa quyền truy cập toàn cầu, chuyên môn của ngành sản xuất và chất lượng đã được chứng minh.Với điều này, chúng tôi có thể tạo các giải pháp chuỗi cung ứng tùy chỉnh, từ đầu đến cuối để tìm nguồn cung ứng và quản lý hàng tồn kho của các thành phần điện tử.
Theo chúng tôi
Điều khoản và điều kiệnChính sách vi phạmYêu cầu báo giáVề chúng tôiLiên hệ chúng tôiBản đồ trang web

Chọn ngôn ngữ

Nhấp vào không gian để thoát

Ngôn ngữ hiện tại

Chọn quốc gia hoặc khu vực của bạn.