Cho khách truy cập tại Electronica 2024

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Hội trường C5 Gian hàng 220

Đăng ký trước

Cho khách truy cập tại Electronica 2024
Bạn có thể đăng ký tất cả! Cảm ơn bạn đã đặt một cuộc hẹn!
Chúng tôi sẽ gửi cho bạn vé gian hàng qua email sau khi chúng tôi đã xác minh đặt chỗ của bạn.
Nhà > Các sản phẩm > Sản phẩm bán dẫn rời > Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn > NP23N06YDG-E1-AY
RFQs/đơn đặt hàng (0)
Tiếng Việt
Tiếng Việt
5274755

NP23N06YDG-E1-AY

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com
Yêu cầu thông tin trực tuyến
Thông số kỹ thuật
  • Số Phần
    NP23N06YDG-E1-AY
  • Nhà sản xuất / Thương hiệu
    Renesas Electronics Corporation
  • Số lượng cổ phiếu
    Trong kho
  • Sự miêu tả
    MOSFET N-CH 60V 23A 8HSON
  • Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS
    Không có chì / tuân thủ RoHS
  • Bảng dữ liệu
    NP23N06YDG-E1-AY.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Tối đa)
    ±20V
  • Công nghệ
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Gói thiết bị nhà cung cấp
    8-HSON
  • Loạt
    -
  • Rds On (Max) @ Id, VGS
    27 mOhm @ 11.5A, 10V
  • Điện cực phân tán (Max)
    1W (Ta), 60W (Tc)
  • Bao bì
    Tape & Reel (TR)
  • Gói / Case
    8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
  • Vài cái tên khác
    NP23N06YDG-E1-AY-ND
    NP23N06YDG-E1-AYTR
  • Nhiệt độ hoạt động
    175°C (TJ)
  • gắn Loại
    Surface Mount
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
    1800pF @ 25V
  • Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs
    41nC @ 10V
  • Loại FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Xả để nguồn điện áp (Vdss)
    60V
  • miêu tả cụ thể
    N-Channel 60V 23A (Tc) 1W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount 8-HSON
  • Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C
    23A (Tc)

New MCUs Enhance Performance, Efficiency, and Security for ...

2024/10/28

Renesas Expands ADAS SoC Portfolio with R-Car V4M and V4H S...

2024/10/7
Đang chuyển hàng
Sự chi trả
Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "NP23N06YDG-E1-AY".
NP2600SBT3G

NP2600SBT3G

Sự miêu tả: THYRISTOR 220V 80A SMB

Nhà sản xuất của: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Trong kho
RFQ
NP2300SCT3G

NP2300SCT3G

Sự miêu tả: THYRISTOR 190V 100A SMB

Nhà sản xuất của: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Trong kho
RFQ
NP2600SAMCT3G

NP2600SAMCT3G

Sự miêu tả: THYRISTOR 220V 150A SMB

Nhà sản xuất của: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Trong kho
RFQ
NP2300SCMCT3G

NP2300SCMCT3G

Sự miêu tả: THYRISTOR 190V 400A SMB

Nhà sản xuất của: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Trong kho
RFQ
NP2600SB1T3G

NP2600SB1T3G

Sự miêu tả: THYRISTOR 220V 80A SMB

Nhà sản xuất của: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Trong kho
RFQ
NP2600SCMCT3G

NP2600SCMCT3G

Sự miêu tả: THYRISTOR 220V 400A SMB

Nhà sản xuất của: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Trong kho
RFQ
NP2600SC1T3G

NP2600SC1T3G

Sự miêu tả: THYRISTOR 220V 100A SMB

Nhà sản xuất của: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Trong kho
RFQ
NP2300SAMCT3G

NP2300SAMCT3G

Sự miêu tả: THYRISTOR 190V 150A SMB

Nhà sản xuất của: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Trong kho
RFQ
NP2300SBT3G

NP2300SBT3G

Sự miêu tả: THYRISTOR 190V 80A SMB

Nhà sản xuất của: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Trong kho
RFQ
NP2600SAT3G

NP2600SAT3G

Sự miêu tả: THYRISTOR 220V 50A SMB

Nhà sản xuất của: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Trong kho
RFQ
NP22N055SHE-E1-AY

NP22N055SHE-E1-AY

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 55V 22A TO-252

Nhà sản xuất của: Renesas Electronics America
Trong kho
RFQ
NP2300SAT3G

NP2300SAT3G

Sự miêu tả: THYRISTOR 190V 50A SMB

Nhà sản xuất của: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Trong kho
RFQ
NP22N055SLE-E2-AY

NP22N055SLE-E2-AY

Sự miêu tả: TRANSISTOR

Nhà sản xuất của: Renesas Electronics America
Trong kho
RFQ
NP22N055SLE-E1-AZ

NP22N055SLE-E1-AZ

Sự miêu tả: TRANSISTOR

Nhà sản xuất của: Renesas Electronics America
Trong kho
RFQ
NP22N055SLE(1)-E1-AY

NP22N055SLE(1)-E1-AY

Sự miêu tả: TRANSISTOR

Nhà sản xuất của: Renesas Electronics America
Trong kho
RFQ
NP28N10SDE-E1-AY

NP28N10SDE-E1-AY

Sự miêu tả: TRANSISTOR

Nhà sản xuất của: Renesas Electronics America
Trong kho
RFQ
NP2300SBMCT3G

NP2300SBMCT3G

Sự miêu tả: THYRISTOR 190V 250A SMB

Nhà sản xuất của: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Trong kho
RFQ
NP22N055SLE-E1-AY

NP22N055SLE-E1-AY

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 55V 22A TO-252

Nhà sản xuất của: Renesas Electronics America
Trong kho
RFQ
NP2600SBMCT3G

NP2600SBMCT3G

Sự miêu tả: THYRISTOR 220V 250A SMB

Nhà sản xuất của: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Trong kho
RFQ
NP2600SCT3G

NP2600SCT3G

Sự miêu tả: THYRISTOR 220V 100A SMB

Nhà sản xuất của: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Trong kho
RFQ
Là nhà phân phối thị trường mở công khai duy nhất, chúng tôi sở hữu một sự kết hợp độc đáo giữa quyền truy cập toàn cầu, chuyên môn của ngành sản xuất và chất lượng đã được chứng minh.Với điều này, chúng tôi có thể tạo các giải pháp chuỗi cung ứng tùy chỉnh, từ đầu đến cuối để tìm nguồn cung ứng và quản lý hàng tồn kho của các thành phần điện tử.
Theo chúng tôi
Điều khoản và điều kiệnChính sách vi phạmYêu cầu báo giáVề chúng tôiLiên hệ chúng tôiBản đồ trang web

Chọn ngôn ngữ

Nhấp vào không gian để thoát

Ngôn ngữ hiện tại

Chọn quốc gia hoặc khu vực của bạn.