BZW50-33B

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho

100+

$2.15

300+

$2.04

500+

$1.83

1000+

$1.544

2500+

$1.47

Yêu cầu thông tin trực tuyến

Thông số kỹ thuật

Số Phần

BZW50-33B
Nhà sản xuất / Thương hiệu

STMicroelectronics
Số lượng cổ phiếu

Trong kho
Sự miêu tả

TVS DIODE 33V 76V R-6
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS

Không có chì / tuân thủ RoHS
Bảng dữ liệu

BZW50-33B.pdf
Voltage - Xếp Standoff (Typ)

33V
Điện áp - kẹp (tối đa) @ Ipp

76V
Điện áp - Sự cố (Tối thiểu)

36.6V
Kiểu

Zener
Gói thiết bị nhà cung cấp

R-6
Loạt

BZW50, TRANSIL™
Bảo vệ đường dây điện

No
Power - Peak Pulse

5000W (5kW)
Bao bì

Tape & Box (TB)
Gói / Case

R6, Axial
Vài cái tên khác

497-12041-3
BZW50-33B-ND
BZW5033B
Nhiệt độ hoạt động

-
gắn Loại

Through Hole
Độ nhạy độ ẩm (MSL)

1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất

30 Weeks
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Dòng điện - Peak Pulse (10 / 1000μs)

789A (8/20µs)
Dung @ Tần số

2875pF @ 1MHz
Kênh hai chiều

1
Số phần cơ sở

BZW50
Các ứng dụng

General Purpose

Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "BZW50-33B".

BZW50-18

Sự miêu tả: TVS DIODE 18V 41.5V R-6

Nhà sản xuất của: STMicroelectronics

Trong kho

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Đăng ký trước

BZW50-33B

Yêu cầu báo giá

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Chọn ngôn ngữ

Ngôn ngữ hiện tại