ESDA8P80-1U1M

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho

$0.42

10+

$0.339

100+

$0.231

500+

$0.173

1000+

$0.13

Yêu cầu thông tin trực tuyến

Thông số kỹ thuật

Số Phần

ESDA8P80-1U1M
Nhà sản xuất / Thương hiệu

STMicroelectronics
Số lượng cổ phiếu

Trong kho
Sự miêu tả

TVS DIODE 3.3VWM 13.2VC 2QFN
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS

Không có chì / tuân thủ RoHS
Bảng dữ liệu

1.ESDA8P80-1U1M.pdf
2.ESDA8P80-1U1M.pdf
Mô hình ECAD
Voltage - Xếp Standoff (Typ)

1
Điện áp - kẹp (tối đa) @ Ipp

6.9V
Điện áp - Sự cố (Tối thiểu)

6.3V
Voltage - Breakdown

1610
Kiểu

Zener
Loạt

ESDA
Tình trạng RoHS

Cut Tape (CT)
Ripple hiện tại - tần số thấp

General Purpose
Bảo vệ đường dây điện

1100W (1.1kW)
Power - Peak Pulse

80A (8/20µs)
sự phân cực

2-UDFN
Vài cái tên khác

497-16914-1
Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại

Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL)

1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất

11 Weeks
Số phần của nhà sản xuất

ESDA8P80-1U1M
Sự miêu tả

TVS DIODE 3.3VWM 13.2VC 2QFN
Dòng điện - Peak Pulse (10 / 1000μs)

13.2V
Dung @ Tần số

-
Kênh hai chiều

No

Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "ESDA8P80-1U1M".

ESDALC5-1BM2

Sự miêu tả: TVS DIODE 5V SOD882

Nhà sản xuất của: STMicroelectronics

Trong kho

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Đăng ký trước

ESDA8P80-1U1M

Yêu cầu báo giá

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Chọn ngôn ngữ

Ngôn ngữ hiện tại