L6387E

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho

$1.56

50+

$1.322

100+

$1.086

500+

$0.897

1000+

$0.708

Yêu cầu thông tin trực tuyến

Thông số kỹ thuật

Số Phần

L6387E
Nhà sản xuất / Thương hiệu

STMicroelectronics
Số lượng cổ phiếu

Trong kho
Sự miêu tả

IC DRIVER HI/LO SIDE HV 8-DIP
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS

Không có chì / tuân thủ RoHS
Bảng dữ liệu

L6387E.pdf
Mô hình ECAD
Voltage - Cung cấp

17V (Max)
Gói thiết bị nhà cung cấp

8-DIP
Loạt

-
Tăng / giảm thời gian (Typ)

50ns, 30ns
Bao bì

Tube
Gói / Case

8-DIP (0.300", 7.62mm)
Vài cái tên khác

497-6217-5
Nhiệt độ hoạt động

-45°C ~ 125°C (TJ)
Tần số vào

2
gắn Loại

Through Hole
Độ nhạy độ ẩm (MSL)

1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất

10 Weeks
Điện thế logic - VIL, VIH

1.5V, 3.6V
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Kiểu đầu vào

Inverting
Cao Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V
Loại cổng

IGBT, N-Channel MOSFET
Cấu hình Driven

Half-Bridge
miêu tả cụ thể

Half-Bridge Gate Driver IC Inverting 8-DIP
Hiện tại - Peak Output (Nguồn, Sink)

400mA, 650mA
Base-Emitter Saturation Voltage (Max)

Independent
Số phần cơ sở

L6387

Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "L6387E".

L6388ED

Sự miêu tả: IC DRIVER HI/LO SIDE HV 8-SOIC

Nhà sản xuất của: STMicroelectronics

Trong kho

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Đăng ký trước

L6387E

Yêu cầu báo giá

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Chọn ngôn ngữ

Ngôn ngữ hiện tại