STB30NM60N

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho

$10.11

Yêu cầu thông tin trực tuyến

Thông số kỹ thuật

Số Phần

STB30NM60N
Nhà sản xuất / Thương hiệu

STMicroelectronics
Số lượng cổ phiếu

Trong kho
Sự miêu tả

MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS

Không có chì / tuân thủ RoHS
Bảng dữ liệu

STB30NM60N.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Tối đa)

±30V
Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp

D2PAK
Loạt

MDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, VGS

130 mOhm @ 12.5A, 10V
Điện cực phân tán (Max)

190W (Tc)
Bao bì

Original-Reel®
Gói / Case

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vài cái tên khác

497-8474-6
Nhiệt độ hoạt động

150°C (TJ)
gắn Loại

Surface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL)

1 (Unlimited)
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

2700pF @ 50V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs

91nC @ 10V
Loại FET

N-Channel
FET Feature

-
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss)

600V
miêu tả cụ thể

N-Channel 600V 25A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D2PAK
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C

25A (Tc)

Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "STB30NM60N".

STB30150CTR

Sự miêu tả: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V D2PAK

Nhà sản xuất của: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions

Trong kho

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Đăng ký trước

STB30NM60N

Yêu cầu báo giá

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Chọn ngôn ngữ

Ngôn ngữ hiện tại