STGP10H60DF

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho

1000+

$1.065

Yêu cầu thông tin trực tuyến

Thông số kỹ thuật

Số Phần

STGP10H60DF
Nhà sản xuất / Thương hiệu

STMicroelectronics
Số lượng cổ phiếu

Trong kho
Sự miêu tả

IGBT 600V 20A 115W TO220
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS

Không có chì / tuân thủ RoHS
Bảng dữ liệu

STGP10H60DF.pdf
Mô hình ECAD
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

600V
VCE (trên) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 10A
Điều kiện kiểm tra

400V, 10A, 10 Ohm, 15V
Td (bật / tắt) @ 25 ° C

19.5ns/103ns
chuyển đổi năng lượng

83µJ (on), 140µJ (off)
Gói thiết bị nhà cung cấp

TO-220
Loạt

-
Xếp Thời gian phục hồi (TRR)

107ns
Power - Max

115W
Bao bì

Tube
Gói / Case

TO-220-3
Vài cái tên khác

497-14277-5
STGP10H60DF-ND
Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại

Through Hole
Độ nhạy độ ẩm (MSL)

1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất

38 Weeks
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Kiểu đầu vào

Standard
Loại IGBT

Trench Field Stop
cổng phí

57nC
miêu tả cụ thể

IGBT Trench Field Stop 600V 20A 115W Through Hole TO-220
Hiện tại - Collector xung (Icm)

40A
Hiện tại - Collector (Ic) (Max)

20A

Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "STGP10H60DF".

STGIPS20C60

Sự miêu tả: MOD IPM SLLIMM 20A 600V 25SDIP

Nhà sản xuất của: STMicroelectronics

Trong kho

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Đăng ký trước

STGP10H60DF

Yêu cầu báo giá

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Chọn ngôn ngữ

Ngôn ngữ hiện tại