STGP30H60DFB

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho

$3.21

50+

$2.588

100+

$2.329

500+

$1.811

1000+

$1.501

Yêu cầu thông tin trực tuyến

Thông số kỹ thuật

Số Phần

STGP30H60DFB
Nhà sản xuất / Thương hiệu

STMicroelectronics
Số lượng cổ phiếu

Trong kho
Sự miêu tả

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS

Không có chì / tuân thủ RoHS
Bảng dữ liệu

STGP30H60DFB.pdf
Mô hình ECAD
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

600V
VCE (trên) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A
Điều kiện kiểm tra

400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Td (bật / tắt) @ 25 ° C

37ns/146ns
chuyển đổi năng lượng

383µJ (on), 293µJ (off)
Gói thiết bị nhà cung cấp

TO-220
Loạt

-
Xếp Thời gian phục hồi (TRR)

53ns
Power - Max

260W
Bao bì

Tube
Gói / Case

TO-220-3
Vài cái tên khác

497-16483-5
Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại

Through Hole
Độ nhạy độ ẩm (MSL)

1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất

42 Weeks
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Kiểu đầu vào

Standard
Loại IGBT

Trench Field Stop
cổng phí

149nC
miêu tả cụ thể

IGBT Trench Field Stop 600V 60A 260W Through Hole TO-220
Hiện tại - Collector xung (Icm)

120A
Hiện tại - Collector (Ic) (Max)

60A

Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "STGP30H60DFB".

STGP19NC60WD

Sự miêu tả: IGBT 600V 40A 125W TO220

Nhà sản xuất của: STMicroelectronics

Trong kho

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Đăng ký trước

STGP30H60DFB

Yêu cầu báo giá

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Chọn ngôn ngữ

Ngôn ngữ hiện tại