STGW60H65FB

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho

600+

$4.923

Yêu cầu thông tin trực tuyến

Thông số kỹ thuật

Số Phần

STGW60H65FB
Nhà sản xuất / Thương hiệu

STMicroelectronics
Số lượng cổ phiếu

Trong kho
Sự miêu tả

IGBT 650V 80A 375W TO247
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS

Không có chì / tuân thủ RoHS
Bảng dữ liệu

STGW60H65FB.pdf
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

650V
VCE (trên) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 60A
Điều kiện kiểm tra

400V, 60A, 5 Ohm, 15V
Td (bật / tắt) @ 25 ° C

51ns/160ns
chuyển đổi năng lượng

1.09mJ (on), 626µJ (off)
Gói thiết bị nhà cung cấp

TO-247
Loạt

-
Power - Max

375W
Bao bì

Tube
Gói / Case

TO-247-3
Vài cái tên khác

497-14037-5
Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại

Through Hole
Độ nhạy độ ẩm (MSL)

1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất

42 Weeks
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Kiểu đầu vào

Standard
Loại IGBT

Trench Field Stop
cổng phí

306nC
miêu tả cụ thể

IGBT Trench Field Stop 650V 80A 375W Through Hole TO-247
Hiện tại - Collector xung (Icm)

240A
Hiện tại - Collector (Ic) (Max)

80A

Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "STGW60H65FB".

STGW60H65DRF

Sự miêu tả: IGBT 650V 120A 420W TO247

Nhà sản xuất của: STMicroelectronics

Trong kho

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Đăng ký trước

STGW60H65FB

Yêu cầu báo giá

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Chọn ngôn ngữ

Ngôn ngữ hiện tại