STGWA20M65DF2

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho

600+

$1.743

Yêu cầu thông tin trực tuyến

Thông số kỹ thuật

Số Phần

STGWA20M65DF2
Nhà sản xuất / Thương hiệu

STMicroelectronics
Số lượng cổ phiếu

Trong kho
Sự miêu tả

IGBT TRENCH 650V 40A TO247
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS

Không có chì / tuân thủ RoHS
Bảng dữ liệu

STGWA20M65DF2.pdf
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

650V
VCE (trên) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 20A
Điều kiện kiểm tra

400V, 20A, 12 Ohm, 15V
Td (bật / tắt) @ 25 ° C

26ns/108ns
chuyển đổi năng lượng

140µJ (on), 560µJ (off)
Gói thiết bị nhà cung cấp

TO-247 Long Leads
Loạt

M
Xếp Thời gian phục hồi (TRR)

166ns
Power - Max

166W
Gói / Case

TO-247-3
Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại

Through Hole
Độ nhạy độ ẩm (MSL)

1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất

42 Weeks
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Kiểu đầu vào

Standard
Loại IGBT

Trench Field Stop
cổng phí

63nC
miêu tả cụ thể

IGBT Trench Field Stop 650V 40A 166W Through Hole TO-247 Long Leads
Hiện tại - Collector xung (Icm)

80A
Hiện tại - Collector (Ic) (Max)

40A

Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "STGWA20M65DF2".

STGWA25H120F2

Sự miêu tả: IGBT HB 1200V 25A HS TO247-3

Nhà sản xuất của: STMicroelectronics

Trong kho

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Đăng ký trước

STGWA20M65DF2

Yêu cầu báo giá

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Chọn ngôn ngữ

Ngôn ngữ hiện tại