STTH3010GY-TR

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho

1000+

$2.426

2000+

$2.31

Yêu cầu thông tin trực tuyến

Thông số kỹ thuật

Số Phần

STTH3010GY-TR
Nhà sản xuất / Thương hiệu

STMicroelectronics
Số lượng cổ phiếu

Trong kho
Sự miêu tả

DIODE GEN PURP 1KV 30A D2PAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS

Không có chì / tuân thủ RoHS
Bảng dữ liệu

STTH3010GY-TR.pdf
Voltage - Chuyển tiếp (VF) (Max) @ Nếu

2V @ 30A
Voltage - DC Xếp (VR) (Max)

1000V
Gói thiết bị nhà cung cấp

D²PAK
Tốc độ

Fast Recovery = 200mA (Io)
Loạt

Automotive, AEC-Q101
Xếp Thời gian phục hồi (TRR)

100ns
Bao bì

Tape & Reel (TR)
Gói / Case

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vài cái tên khác

497-13281-2
STTH3010GYTR
Nhiệt độ hoạt động - Junction

-40°C ~ 175°C
gắn Loại

Surface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL)

1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất

29 Weeks
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Loại diode

Standard
miêu tả cụ thể

Diode Standard 1000V 30A Surface Mount D²PAK
Hiện tại - Xếp Rò rỉ @ VR

15µA @ 1000V
Hiện tại - Trung bình sửa chữa (Io)

30A
Dung @ VR, F

-
Số phần cơ sở

STTH3010

Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "STTH3010GY-TR".

STTH3002G-TR

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 200V 30A D2PAK

Nhà sản xuất của: STMicroelectronics

Trong kho

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Đăng ký trước

STTH3010GY-TR

Yêu cầu báo giá

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Chọn ngôn ngữ

Ngôn ngữ hiện tại