STTH80S06W

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho

$4.15

10+

$3.724

100+

$3.051

500+

$2.597

1000+

$2.19

Yêu cầu thông tin trực tuyến

Thông số kỹ thuật

Số Phần

STTH80S06W
Nhà sản xuất / Thương hiệu

STMicroelectronics
Số lượng cổ phiếu

Trong kho
Sự miêu tả

DIODE TURBO2 600V 80A DO247
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS

Không có chì / tuân thủ RoHS
Bảng dữ liệu

STTH80S06W.pdf
Mô hình ECAD
Voltage - Đỉnh ngược (Max)

Standard
Voltage - Chuyển tiếp (VF) (Max) @ Nếu

80A
Voltage - Breakdown

DO-247
Loạt

-
Tình trạng RoHS

Tube
Xếp Thời gian phục hồi (TRR)

Fast Recovery = 200mA (Io)
Kháng @ Nếu, F

-
sự phân cực

DO-247-2 (Straight Leads)
Vài cái tên khác

497-16023-5
Nhiệt độ hoạt động - Junction

75ns
gắn Loại

Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL)

1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất

7 Weeks
Số phần của nhà sản xuất

STTH80S06W
Mô tả mở rộng

Diode Standard 600V 80A Through Hole DO-247
Cấu hình diode

50µA @ 600V
Sự miêu tả

DIODE TURBO2 600V 80A DO247
Hiện tại - Xếp Rò rỉ @ VR

2.2V @ 20A
Hiện tại - Trung bình sửa chữa (Io) (mỗi Diode)

600V
Dung @ VR, F

-40°C ~ 175°C

Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "STTH80S06W".

STTH806DIRG

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

Nhà sản xuất của: STMicroelectronics

Trong kho

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Đăng ký trước

STTH80S06W

Yêu cầu báo giá

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Chọn ngôn ngữ

Ngôn ngữ hiện tại