STW70N10F4

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho

600+

$1.866

Yêu cầu thông tin trực tuyến

Thông số kỹ thuật

Số Phần

STW70N10F4
Nhà sản xuất / Thương hiệu

STMicroelectronics
Số lượng cổ phiếu

Trong kho
Sự miêu tả

MOSFET N-CH 100V 65A TO-247
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS

Không có chì / tuân thủ RoHS
Bảng dữ liệu

STW70N10F4.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Tối đa)

±20V
Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp

TO-247-3
Loạt

DeepGATE™, STripFET™
Rds On (Max) @ Id, VGS

19.5 mOhm @ 30A, 10V
Điện cực phân tán (Max)

150W (Tc)
Bao bì

Tube
Gói / Case

TO-247-3
Vài cái tên khác

497-8797-5
Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại

Through Hole
Độ nhạy độ ẩm (MSL)

1 (Unlimited)
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

5800pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs

85nC @ 10V
Loại FET

N-Channel
FET Feature

-
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss)

100V
miêu tả cụ thể

N-Channel 100V 65A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247-3
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C

65A (Tc)

Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "STW70N10F4".

STW70N60M2

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 600V 68A TO247

Nhà sản xuất của: STMicroelectronics

Trong kho

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Đăng ký trước

STW70N10F4

Yêu cầu báo giá

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Chọn ngôn ngữ

Ngôn ngữ hiện tại