Cho khách truy cập tại Electronica 2024

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Hội trường C5 Gian hàng 220

Đăng ký trước

Cho khách truy cập tại Electronica 2024
Bạn có thể đăng ký tất cả! Cảm ơn bạn đã đặt một cuộc hẹn!
Chúng tôi sẽ gửi cho bạn vé gian hàng qua email sau khi chúng tôi đã xác minh đặt chỗ của bạn.
Nhà > Các sản phẩm > Sản phẩm bán dẫn rời > Diode - Bộ chỉnh lưu - Đơn > BYG21M M2G
RFQs/đơn đặt hàng (0)
Tiếng Việt
Tiếng Việt
4717693Hình ảnh BYG21M M2G.TSC (Taiwan Semiconductor)

BYG21M M2G

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho
15000+
$0.074
Yêu cầu thông tin trực tuyến
Thông số kỹ thuật
  • Số Phần
    BYG21M M2G
  • Nhà sản xuất / Thương hiệu
    Taiwan Semiconductor
  • Số lượng cổ phiếu
    Trong kho
  • Sự miêu tả
    DIODE AVALANCHE 1.5A DO214AC
  • Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS
    Không có chì / tuân thủ RoHS
  • Bảng dữ liệu
    BYG21M M2G.pdf
  • Mô hình ECAD
  • Voltage - Chuyển tiếp (VF) (Max) @ Nếu
    1.6V @ 1.5A
  • Gói thiết bị nhà cung cấp
    DO-214AC (SMA)
  • Tốc độ
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Loạt
    -
  • Xếp Thời gian phục hồi (TRR)
    120ns
  • Bao bì
    Tape & Reel (TR)
  • Gói / Case
    DO-214AC, SMA
  • Vài cái tên khác
    BYG21M M2G-ND
    BYG21MM2G
  • Nhiệt độ hoạt động - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • gắn Loại
    Surface Mount
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Thời gian chuẩn của nhà sản xuất
    17 Weeks
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Loại diode
    Avalanche
  • miêu tả cụ thể
    Diode Avalanche 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Hiện tại - Xếp Rò rỉ @ VR
    1µA @ 1000V
  • Hiện tại - Trung bình sửa chữa (Io)
    1.5A
  • Dung @ VR, F
    13pF @ 4V, 1MHz

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip thông báo 500 lần sa thải, với chi phí tái...

2024/12/4

Quanta: Nhu cầu AI tiếp tục mạnh mẽ, với dòng đơn ...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung giảm đáng kể việc sử dụng quang học trong s...

2024/12/2

Vishay sẽ đầu tư 51 triệu bảng vào NWF Wafer đã mu...

2024/11/29

Mối đe dọa thuế quan của Trump, NVIDIA, Nhà cung cấp...

2024/11/28

Intel sẽ nhận được 7,86 tỷ đô la trợ cấp theo Đ...

2024/11/27
Đang chuyển hàng
Sự chi trả
Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "BYG21M M2G".
BYG21KHM3_A/H

BYG21KHM3_A/H

Sự miêu tả: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
BYG21KHE3/TR3

BYG21KHE3/TR3

Sự miêu tả: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Nhà sản xuất của: Vishay Semiconductor Diodes Division
Trong kho
RFQ
BYG21M R3G

BYG21M R3G

Sự miêu tả: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Nhà sản xuất của: TSC (Taiwan Semiconductor)
Trong kho
RFQ
BYG21M-M3/TR

BYG21M-M3/TR

Sự miêu tả: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
BYG21MHE3_A/I

BYG21MHE3_A/I

Sự miêu tả: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
BYG21KHM3/TR3

BYG21KHM3/TR3

Sự miêu tả: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Nhà sản xuất của: Vishay Semiconductor Diodes Division
Trong kho
RFQ
BYG21KHE3_A/I

BYG21KHE3_A/I

Sự miêu tả: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
BYG21M/54

BYG21M/54

Sự miêu tả: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
BYG21MHE3_A/H

BYG21MHE3_A/H

Sự miêu tả: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
BYG21MHE3/TR

BYG21MHE3/TR

Sự miêu tả: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Nhà sản xuất của: Vishay Semiconductor Diodes Division
Trong kho
RFQ
BYG21K-M3/TR

BYG21K-M3/TR

Sự miêu tả: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
BYG21KHE3_A/H

BYG21KHE3_A/H

Sự miêu tả: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
BYG21KHM3/TR

BYG21KHM3/TR

Sự miêu tả: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Nhà sản xuất của: Vishay Semiconductor Diodes Division
Trong kho
RFQ
BYG21KHE3/TR

BYG21KHE3/TR

Sự miêu tả: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Nhà sản xuất của: Vishay Semiconductor Diodes Division
Trong kho
RFQ
BYG21MHE3/TR3

BYG21MHE3/TR3

Sự miêu tả: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Nhà sản xuất của: Vishay Semiconductor Diodes Division
Trong kho
RFQ
BYG21KHM3_A/I

BYG21KHM3_A/I

Sự miêu tả: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
BYG21M-E3/TR

BYG21M-E3/TR

Sự miêu tả: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
BYG21M-M3/TR3

BYG21M-M3/TR3

Sự miêu tả: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
BYG21M-E3/TR3

BYG21M-E3/TR3

Sự miêu tả: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
BYG21K-M3/TR3

BYG21K-M3/TR3

Sự miêu tả: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
Là nhà phân phối thị trường mở công khai duy nhất, chúng tôi sở hữu một sự kết hợp độc đáo giữa quyền truy cập toàn cầu, chuyên môn của ngành sản xuất và chất lượng đã được chứng minh.Với điều này, chúng tôi có thể tạo các giải pháp chuỗi cung ứng tùy chỉnh, từ đầu đến cuối để tìm nguồn cung ứng và quản lý hàng tồn kho của các thành phần điện tử.
Theo chúng tôi
Điều khoản và điều kiệnChính sách vi phạmYêu cầu báo giáVề chúng tôiLiên hệ chúng tôiTin tứcBản đồ trang web

Chọn ngôn ngữ

Nhấp vào không gian để thoát

Ngôn ngữ hiện tại

Chọn quốc gia hoặc khu vực của bạn.