Cho khách truy cập tại Electronica 2024

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Hội trường C5 Gian hàng 220

Đăng ký trước

Cho khách truy cập tại Electronica 2024
Bạn có thể đăng ký tất cả! Cảm ơn bạn đã đặt một cuộc hẹn!
Chúng tôi sẽ gửi cho bạn vé gian hàng qua email sau khi chúng tôi đã xác minh đặt chỗ của bạn.
Nhà > Các sản phẩm > Sản phẩm bán dẫn rời > Diode - Bộ chỉnh lưu - Đơn > HS3J V7G
RFQs/đơn đặt hàng (0)
Tiếng Việt
Tiếng Việt
4956452Hình ảnh HS3J V7G.TSC (Taiwan Semiconductor)

HS3J V7G

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho
1700+
$0.117
Yêu cầu thông tin trực tuyến
Thông số kỹ thuật
  • Số Phần
    HS3J V7G
  • Nhà sản xuất / Thương hiệu
    Taiwan Semiconductor
  • Số lượng cổ phiếu
    Trong kho
  • Sự miêu tả
    DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
  • Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS
    Không có chì / tuân thủ RoHS
  • Bảng dữ liệu
    HS3J V7G.pdf
  • Voltage - DC Xếp (VR) (Max)
    600V
  • Gói thiết bị nhà cung cấp
    DO-214AB (SMC)
  • Tốc độ
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Loạt
    -
  • Xếp Thời gian phục hồi (TRR)
    75ns
  • Gói / Case
    DO-214AB, SMC
  • Vài cái tên khác
    HS3J V7G-ND
    HS3JV7G
  • Nhiệt độ hoạt động - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • gắn Loại
    Surface Mount
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Thời gian chuẩn của nhà sản xuất
    8 Weeks
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Loại diode
    Standard
  • miêu tả cụ thể
    Diode Standard 600V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Hiện tại - Xếp Rò rỉ @ VR
    10µA @ 600V
  • Hiện tại - Trung bình sửa chữa (Io)
    3A
  • Dung @ VR, F
    50pF @ 4V, 1MHz

Nhân học nhận được khoản đầu tư 4 tỷ đô la kh...

2024/11/23

Semi: Doanh số IC tăng 12% trong quý 3, tăng trưở...

2024/11/22

Được biết, Kioxia sẽ nhận được sự chấp thuận ni...

2024/11/21

Nền tảng quang học silicon mới nhất của SemicDolator ...

2024/11/20

Ngành công nghiệp phục hồi chậm.Nhà cung cấp epitic...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Nhà cung cấp: Một số lượng lớn các thành phần GPU...

2024/11/18

Đài Loan, giá trị sản lượng của chất bán dẫn Tru...

2024/11/17

Mở rộng sản xuất các tấm OLED, màn hình LG sẽ đầ...

2024/11/15

Amazon tăng nỗ lực tạo ra chip AI tùy chỉnh, giảm s...

2024/11/14

Lợi nhuận ròng quý 3 của Pegatron là 4,296 tỷ đô l...

2024/11/13
Đang chuyển hàng
Sự chi trả
Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "HS3J V7G".
HS3F V7G

HS3F V7G

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

Nhà sản xuất của: TSC (Taiwan Semiconductor)
Trong kho
RFQ
HS3GB R5G

HS3GB R5G

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA

Nhà sản xuất của: TSC (Taiwan Semiconductor)
Trong kho
RFQ
HS3G M6G

HS3G M6G

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Nhà sản xuất của: TSC (Taiwan Semiconductor)
Trong kho
RFQ
HS3FB R5G

HS3FB R5G

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AA

Nhà sản xuất của: TSC (Taiwan Semiconductor)
Trong kho
RFQ
HS3J M6G

HS3J M6G

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Nhà sản xuất của: TSC (Taiwan Semiconductor)
Trong kho
RFQ
HS3K V6G

HS3K V6G

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Nhà sản xuất của: TSC (Taiwan Semiconductor)
Trong kho
RFQ
HS3G R7G

HS3G R7G

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Nhà sản xuất của: TSC (Taiwan Semiconductor)
Trong kho
RFQ
HS3J V6G

HS3J V6G

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Nhà sản xuất của: TSC (Taiwan Semiconductor)
Trong kho
RFQ
HS3G V6G

HS3G V6G

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Nhà sản xuất của: TSC (Taiwan Semiconductor)
Trong kho
RFQ
HS3KB M4G

HS3KB M4G

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AA

Nhà sản xuất của: TSC (Taiwan Semiconductor)
Trong kho
RFQ
HS3F V6G

HS3F V6G

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

Nhà sản xuất của: TSC (Taiwan Semiconductor)
Trong kho
RFQ
HS3K V7G

HS3K V7G

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Nhà sản xuất của: TSC (Taiwan Semiconductor)
Trong kho
RFQ
HS3JB R5G

HS3JB R5G

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA

Nhà sản xuất của: TSC (Taiwan Semiconductor)
Trong kho
RFQ
HS3K R7G

HS3K R7G

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Nhà sản xuất của: TSC (Taiwan Semiconductor)
Trong kho
RFQ
HS3M V6G

HS3M V6G

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 3A DO214AB

Nhà sản xuất của: TSC (Taiwan Semiconductor)
Trong kho
RFQ
HS3M R7G

HS3M R7G

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB

Nhà sản xuất của: TSC (Taiwan Semiconductor)
Trong kho
RFQ
HS3J R7G

HS3J R7G

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Nhà sản xuất của: TSC (Taiwan Semiconductor)
Trong kho
RFQ
HS3K M6G

HS3K M6G

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Nhà sản xuất của: TSC (Taiwan Semiconductor)
Trong kho
RFQ
HS3M M6G

HS3M M6G

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 3A DO214AB

Nhà sản xuất của: TSC (Taiwan Semiconductor)
Trong kho
RFQ
HS3KB R5G

HS3KB R5G

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AA

Nhà sản xuất của: TSC (Taiwan Semiconductor)
Trong kho
RFQ
Là nhà phân phối thị trường mở công khai duy nhất, chúng tôi sở hữu một sự kết hợp độc đáo giữa quyền truy cập toàn cầu, chuyên môn của ngành sản xuất và chất lượng đã được chứng minh.Với điều này, chúng tôi có thể tạo các giải pháp chuỗi cung ứng tùy chỉnh, từ đầu đến cuối để tìm nguồn cung ứng và quản lý hàng tồn kho của các thành phần điện tử.
Theo chúng tôi
Điều khoản và điều kiệnChính sách vi phạmYêu cầu báo giáVề chúng tôiLiên hệ chúng tôiBản đồ trang web

Chọn ngôn ngữ

Nhấp vào không gian để thoát

Ngôn ngữ hiện tại

Chọn quốc gia hoặc khu vực của bạn.