Cho khách truy cập tại Electronica 2024

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Hội trường C5 Gian hàng 220

Đăng ký trước

Cho khách truy cập tại Electronica 2024
Bạn có thể đăng ký tất cả! Cảm ơn bạn đã đặt một cuộc hẹn!
Chúng tôi sẽ gửi cho bạn vé gian hàng qua email sau khi chúng tôi đã xác minh đặt chỗ của bạn.
Nhà > Các sản phẩm > Mạch tích hợp (ICS) > Ký ức > TC58CVG2S0HRAIG
RFQs/đơn đặt hàng (0)
Tiếng Việt
Tiếng Việt
1128066Hình ảnh TC58CVG2S0HRAIG.Toshiba Memory America, Inc.

TC58CVG2S0HRAIG

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho
1+
$6.75
10+
$6.158
25+
$6.041
50+
$6.00
100+
$5.382
480+
$5.361
960+
$4.944
1440+
$4.813
Yêu cầu thông tin trực tuyến
Thông số kỹ thuật
  • Số Phần
    TC58CVG2S0HRAIG
  • Nhà sản xuất / Thương hiệu
  • Số lượng cổ phiếu
    Trong kho
  • Sự miêu tả
    IC FLASH 4G SPI 104MHZ 8WSON
  • Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS
    Không có chì / tuân thủ RoHS
  • Bảng dữ liệu
  • Viết Chu trình Thời gian - Từ, Trang
    -
  • Voltage - Cung cấp
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Công nghệ
    FLASH - NAND (SLC)
  • Gói thiết bị nhà cung cấp
    8-WSON (6x8)
  • Loạt
    -
  • Bao bì
    Tray
  • Gói / Case
    8-WDFN Exposed Pad
  • Vài cái tên khác
    TC58CVG2S0HRAIGBAH
    TC58CVG2S0HRAIGY0J
    TC58CVG2S0HRAIGYCJ
  • Nhiệt độ hoạt động
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • gắn Loại
    Surface Mount
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Loại bộ nhớ
    Non-Volatile
  • Kích thước bộ nhớ
    4Gb (512M x 8)
  • Giao diện bộ nhớ
    SPI - Quad I/O
  • Định dạng bộ nhớ
    FLASH
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • miêu tả cụ thể
    FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) SPI - Quad I/O 104MHz 280µs 8-WSON (6x8)
  • Tần số đồng hồ
    104MHz
  • Thời gian truy cập
    280µs
TC58CVG2S0HQAIE

TC58CVG2S0HQAIE

Sự miêu tả: IC FLASH 4G SPI 104MHZ 16SOP

Nhà sản xuất của: Toshiba Memory America, Inc.
Trong kho
TC58BYG2S0HBAI6

TC58BYG2S0HBAI6

Sự miêu tả: IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

Nhà sản xuất của: Toshiba Memory America, Inc.
Trong kho
TC58NVG1S3ETAI0

TC58NVG1S3ETAI0

Sự miêu tả: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Nhà sản xuất của: Toshiba Memory America, Inc.
Trong kho
TC58CYG0S3HRAIG

TC58CYG0S3HRAIG

Sự miêu tả: 1GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

Nhà sản xuất của: Toshiba Memory America, Inc.
Trong kho
TC58NVG0S3HBAI4

TC58NVG0S3HBAI4

Sự miêu tả: IC FLASH 1G PARALLEL 63TFBGA

Nhà sản xuất của: Toshiba Memory America, Inc.
Trong kho
TC58NVG0S3HBAI6

TC58NVG0S3HBAI6

Sự miêu tả: IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA

Nhà sản xuất của: Toshiba Memory America, Inc.
Trong kho
TC58CVG0S3HQAIE

TC58CVG0S3HQAIE

Sự miêu tả: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP

Nhà sản xuất của: Toshiba Memory America, Inc.
Trong kho
TC58CVG1S3HRAIG

TC58CVG1S3HRAIG

Sự miêu tả: 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 3.3V

Nhà sản xuất của: Toshiba Memory America, Inc.
Trong kho
TC58CVG0S3HRAIG

TC58CVG0S3HRAIG

Sự miêu tả: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON

Nhà sản xuất của: Toshiba Memory America, Inc.
Trong kho
TC58CYG2S0HRAIG

TC58CYG2S0HRAIG

Sự miêu tả: 4GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

Nhà sản xuất của: Toshiba Memory America, Inc.
Trong kho
TC58BYG1S3HBAI4

TC58BYG1S3HBAI4

Sự miêu tả: 2GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE

Nhà sản xuất của: Toshiba Memory America, Inc.
Trong kho
TC58CYG0S3HQAIE

TC58CYG0S3HQAIE

Sự miêu tả: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP

Nhà sản xuất của: Toshiba Memory America, Inc.
Trong kho
TC58BVG2S0HTAI0

TC58BVG2S0HTAI0

Sự miêu tả: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Nhà sản xuất của: Toshiba Memory America, Inc.
Trong kho
TC58NVG0S3HTA00

TC58NVG0S3HTA00

Sự miêu tả: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

Nhà sản xuất của: Toshiba Memory America, Inc.
Trong kho
TC58NVG0S3HTAI0

TC58NVG0S3HTAI0

Sự miêu tả: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

Nhà sản xuất của: Toshiba Memory America, Inc.
Trong kho
TC58NVG1S3ETA00

TC58NVG1S3ETA00

Sự miêu tả: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Nhà sản xuất của: Toshiba Memory America, Inc.
Trong kho
TC58BYG0S3HBAI4

TC58BYG0S3HBAI4

Sự miêu tả: 1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE

Nhà sản xuất của: Toshiba Memory America, Inc.
Trong kho
TC58BYG0S3HBAI6

TC58BYG0S3HBAI6

Sự miêu tả: IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA

Nhà sản xuất của: Toshiba Memory America, Inc.
Trong kho
TC58BYG1S3HBAI6

TC58BYG1S3HBAI6

Sự miêu tả: IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

Nhà sản xuất của: Toshiba Memory America, Inc.
Trong kho
TC58CYG1S3HRAIG

TC58CYG1S3HRAIG

Sự miêu tả: 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

Nhà sản xuất của: Toshiba Memory America, Inc.
Trong kho

Chọn ngôn ngữ

Nhấp vào không gian để thoát