Cho khách truy cập tại Electronica 2024

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Hội trường C5 Gian hàng 220

Đăng ký trước

Cho khách truy cập tại Electronica 2024
Bạn có thể đăng ký tất cả! Cảm ơn bạn đã đặt một cuộc hẹn!
Chúng tôi sẽ gửi cho bạn vé gian hàng qua email sau khi chúng tôi đã xác minh đặt chỗ của bạn.
Nhà > Các sản phẩm > Mạch tích hợp (ICS) > Ký ức > TC58NVG3S0FTA00
RFQs/đơn đặt hàng (0)
Tiếng Việt
Tiếng Việt
2818671Hình ảnh TC58NVG3S0FTA00.Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG3S0FTA00

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com
Yêu cầu thông tin trực tuyến
Thông số kỹ thuật
  • Số Phần
    TC58NVG3S0FTA00
  • Nhà sản xuất / Thương hiệu
  • Số lượng cổ phiếu
    Trong kho
  • Sự miêu tả
    IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I
  • Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS
    Không có chì / tuân thủ RoHS
  • Bảng dữ liệu
  • Mô hình ECAD
  • Viết Chu trình Thời gian - Từ, Trang
    25ns
  • Voltage - Cung cấp
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Công nghệ
    FLASH - NAND (SLC)
  • Gói thiết bị nhà cung cấp
    48-TSOP I
  • Loạt
    -
  • Bao bì
    Tray
  • Gói / Case
    48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Vài cái tên khác
    TC58NVG3S0FTA00B4H
    TC58NVG3S0FTA00YCJ
  • Nhiệt độ hoạt động
    0°C ~ 70°C (TA)
  • gắn Loại
    Surface Mount
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Loại bộ nhớ
    Non-Volatile
  • Kích thước bộ nhớ
    8Gb (1G x 8)
  • Giao diện bộ nhớ
    Parallel
  • Định dạng bộ nhớ
    FLASH
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • miêu tả cụ thể
    FLASH - NAND (SLC) Memory IC 8Gb (1G x 8) Parallel 25ns 48-TSOP I
  • Thời gian truy cập
    25ns
TC58NVG1S3HTAI0

TC58NVG1S3HTAI0

Sự miêu tả: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Nhà sản xuất của: Toshiba Memory America, Inc.
Trong kho
TC58NVG1S3HBAI4

TC58NVG1S3HBAI4

Sự miêu tả: IC FLASH 2G PARALLEL 63TFBGA

Nhà sản xuất của: Toshiba Memory America, Inc.
Trong kho
TC58NYG0S3HBAI6

TC58NYG0S3HBAI6

Sự miêu tả: IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA

Nhà sản xuất của: Toshiba Memory America, Inc.
Trong kho
TC58NYG2S0HBAI6

TC58NYG2S0HBAI6

Sự miêu tả: IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

Nhà sản xuất của: Toshiba Memory America, Inc.
Trong kho
TC58NVG1S3HTA00

TC58NVG1S3HTA00

Sự miêu tả: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Nhà sản xuất của: Toshiba Memory America, Inc.
Trong kho
TC58NVG2S0HBAI6

TC58NVG2S0HBAI6

Sự miêu tả: IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

Nhà sản xuất của: Toshiba Memory America, Inc.
Trong kho
TC593002ECBTR

TC593002ECBTR

Sự miêu tả: IC REG LINEAR -3V 80MA SOT23-3

Nhà sản xuất của: Micrel / Microchip Technology
Trong kho
TC58NYG1S3HBAI6

TC58NYG1S3HBAI6

Sự miêu tả: IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

Nhà sản xuất của: Toshiba Memory America, Inc.
Trong kho
TC58NVG1S3HBAI6

TC58NVG1S3HBAI6

Sự miêu tả: IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

Nhà sản xuất của: Toshiba Memory America, Inc.
Trong kho
TC59

TC59

Sự miêu tả: CAP ALUM 50UF 250V AXIAL

Nhà sản xuất của: Cornell Dubilier Electronics
Trong kho
TC58NVG2S0HTAI0

TC58NVG2S0HTAI0

Sự miêu tả: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Nhà sản xuất của: Toshiba Memory America, Inc.
Trong kho
TC58NYG2S0HBAI4

TC58NYG2S0HBAI4

Sự miêu tả: 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V

Nhà sản xuất của: Toshiba Memory America, Inc.
Trong kho
TC594

TC594

Sự miêu tả: CAP ALUM 200UF 300V AXIAL

Nhà sản xuất của: Cornell Dubilier Electronics
Trong kho
TC58NVG2S0FTA00

TC58NVG2S0FTA00

Sự miêu tả: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Nhà sản xuất của: Toshiba Memory America, Inc.
Trong kho
TC593

TC593

Sự miêu tả: CAP ALUM 150UF 300V AXIAL

Nhà sản xuất của: Cornell Dubilier Electronics
Trong kho
TC58NVG2S0HTA00

TC58NVG2S0HTA00

Sự miêu tả: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Nhà sản xuất của: Toshiba Memory America, Inc.
Trong kho
TC58NVG1S3ETAI0

TC58NVG1S3ETAI0

Sự miêu tả: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Nhà sản xuất của: Toshiba Memory America, Inc.
Trong kho
TC58NYG1S3HBAI4

TC58NYG1S3HBAI4

Sự miêu tả: 2G NAND SLC 24NM BGA

Nhà sản xuất của: Toshiba Memory America, Inc.
Trong kho
TC58NVG2S0HBAI4

TC58NVG2S0HBAI4

Sự miêu tả: IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA

Nhà sản xuất của: Toshiba Memory America, Inc.
Trong kho
TC59000001

TC59000001

Sự miêu tả: OSC MEMS 59MHZ 3.3V SMD

Nhà sản xuất của: TXC Corporation
Trong kho

Chọn ngôn ngữ

Nhấp vào không gian để thoát