Cho khách truy cập tại Electronica 2024

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Hội trường C5 Gian hàng 220

Đăng ký trước

Cho khách truy cập tại Electronica 2024
Bạn có thể đăng ký tất cả! Cảm ơn bạn đã đặt một cuộc hẹn!
Chúng tôi sẽ gửi cho bạn vé gian hàng qua email sau khi chúng tôi đã xác minh đặt chỗ của bạn.
Nhà > Các sản phẩm > Mạch tích hợp (ICs) > Ký ức > TH58NVG4S0HTA20
RFQs/đơn đặt hàng (0)
Tiếng Việt
Tiếng Việt
3524793Hình ảnh TH58NVG4S0HTA20.Toshiba Memory America, Inc.

TH58NVG4S0HTA20

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho
1+
$19.50
10+
$18.059
25+
$17.808
96+
$17.589
192+
$15.415
288+
$14.749
576+
$14.65
Yêu cầu thông tin trực tuyến
Thông số kỹ thuật
  • Số Phần
    TH58NVG4S0HTA20
  • Nhà sản xuất / Thương hiệu
  • Số lượng cổ phiếu
    Trong kho
  • Sự miêu tả
    IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP I
  • Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS
    Không có chì / tuân thủ RoHS
  • Bảng dữ liệu
  • Viết Chu trình Thời gian - Từ, Trang
    25ns
  • Voltage - Cung cấp
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Công nghệ
    FLASH - NAND (SLC)
  • Gói thiết bị nhà cung cấp
    48-TSOP I
  • Loạt
    -
  • Bao bì
    Tray
  • Gói / Case
    48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Vài cái tên khác
    TH58NVG4S0HTA20YCJ
  • Nhiệt độ hoạt động
    0°C ~ 70°C (TA)
  • gắn Loại
    Surface Mount
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Loại bộ nhớ
    Non-Volatile
  • Kích thước bộ nhớ
    16Gb (2G x 8)
  • Giao diện bộ nhớ
    Parallel
  • Định dạng bộ nhớ
    FLASH
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • miêu tả cụ thể
    FLASH - NAND (SLC) Memory IC 16Gb (2G x 8) Parallel 25ns 48-TSOP I
  • Thời gian truy cập
    25ns
TH58NYG3S0HBAI6

TH58NYG3S0HBAI6

Sự miêu tả: IC FLASH 8G PARALLEL 67VFBGA

Nhà sản xuất của: Toshiba Memory America, Inc.
Trong kho
TH58NVG2S3HTAI0

TH58NVG2S3HTAI0

Sự miêu tả: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Nhà sản xuất của: Toshiba Memory America, Inc.
Trong kho
TH58BVG2S3HBAI4

TH58BVG2S3HBAI4

Sự miêu tả: 4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE

Nhà sản xuất của: Toshiba Memory America, Inc.
Trong kho
TH58BYG2S3HBAI6

TH58BYG2S3HBAI6

Sự miêu tả: IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

Nhà sản xuất của: Toshiba Memory America, Inc.
Trong kho
TH58BYG2S3HBAI4

TH58BYG2S3HBAI4

Sự miêu tả: 4G SLC NAND BGA 24NM

Nhà sản xuất của: Toshiba Memory America, Inc.
Trong kho
TH58NVG5S0FTA20

TH58NVG5S0FTA20

Sự miêu tả: IC FLASH 32G PARALLEL 48TSOP I

Nhà sản xuất của: Toshiba Memory America, Inc.
Trong kho
TH58NVG5S0FTAK0

TH58NVG5S0FTAK0

Sự miêu tả: 32GB SLC NAND TSOP 32NM LB I-TEM

Nhà sản xuất của: Toshiba Memory America, Inc.
Trong kho
TH58NYG2S3HBAI4

TH58NYG2S3HBAI4

Sự miêu tả: 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V

Nhà sản xuất của: Toshiba Memory America, Inc.
Trong kho
TH58NVG4S0FTA20

TH58NVG4S0FTA20

Sự miêu tả: IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP I

Nhà sản xuất của: Toshiba Memory America, Inc.
Trong kho
TH58BVG3S0HTA00

TH58BVG3S0HTA00

Sự miêu tả: IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I

Nhà sản xuất của: Toshiba Memory America, Inc.
Trong kho
TH58NVG3S0HTAI0

TH58NVG3S0HTAI0

Sự miêu tả: IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I

Nhà sản xuất của: Toshiba Memory America, Inc.
Trong kho
TH58BYG3S0HBAI6

TH58BYG3S0HBAI6

Sự miêu tả: 8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V

Nhà sản xuất của: Toshiba Memory America, Inc.
Trong kho
TH58NVG2S3HTA00

TH58NVG2S3HTA00

Sự miêu tả: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Nhà sản xuất của: Toshiba Memory America, Inc.
Trong kho
TH58NVG4S0HTAK0

TH58NVG4S0HTAK0

Sự miêu tả: IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP I

Nhà sản xuất của: Toshiba Memory America, Inc.
Trong kho
TH58BVG2S3HTA00

TH58BVG2S3HTA00

Sự miêu tả: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Nhà sản xuất của: Toshiba Memory America, Inc.
Trong kho
TH58BVG3S0HTAI0

TH58BVG3S0HTAI0

Sự miêu tả: 8GB SLC BENAND TSOP 24NM 4K PAGE

Nhà sản xuất của: Toshiba Memory America, Inc.
Trong kho
TH5E106K021A1000

TH5E106K021A1000

Sự miêu tả: CAP TANT 10UF 21V 10% 2917

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
TH58BVG2S3HTAI0

TH58BVG2S3HTAI0

Sự miêu tả: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Nhà sản xuất của: Toshiba Memory America, Inc.
Trong kho
TH58NVG3S0HTA00

TH58NVG3S0HTA00

Sự miêu tả: IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I

Nhà sản xuất của: Toshiba Memory America, Inc.
Trong kho
TH58NVG3S0HBAI4

TH58NVG3S0HBAI4

Sự miêu tả: 8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V

Nhà sản xuất của: Toshiba Memory America, Inc.
Trong kho

Chọn ngôn ngữ

Nhấp vào không gian để thoát