Cho khách truy cập tại Electronica 2024

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Hội trường C5 Gian hàng 220

Đăng ký trước

Cho khách truy cập tại Electronica 2024
Bạn có thể đăng ký tất cả! Cảm ơn bạn đã đặt một cuộc hẹn!
Chúng tôi sẽ gửi cho bạn vé gian hàng qua email sau khi chúng tôi đã xác minh đặt chỗ của bạn.
Nhà > Các sản phẩm > Sản phẩm bán dẫn rời > Diode - Bộ chỉnh lưu - Đơn > BAS516,H3F
RFQs/đơn đặt hàng (0)
Tiếng Việt
Tiếng Việt
4851674

BAS516,H3F

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho
4000+
$0.032
Yêu cầu thông tin trực tuyến
Thông số kỹ thuật
  • Số Phần
    BAS516,H3F
  • Nhà sản xuất / Thương hiệu
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Số lượng cổ phiếu
    Trong kho
  • Sự miêu tả
    DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC
  • Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS
    Không có chì / tuân thủ RoHS
  • Bảng dữ liệu
    BAS516,H3F.pdf
  • Mô hình ECAD
  • Voltage - Chuyển tiếp (VF) (Max) @ Nếu
    1.25V @ 150mA
  • Voltage - DC Xếp (VR) (Max)
    100V
  • Gói thiết bị nhà cung cấp
    ESC
  • Tốc độ
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Loạt
    -
  • Xếp Thời gian phục hồi (TRR)
    3ns
  • Gói / Case
    SC-79, SOD-523
  • Vài cái tên khác
    BAS516H3F
  • Nhiệt độ hoạt động - Junction
    150°C (Max)
  • gắn Loại
    Surface Mount
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Loại diode
    Standard
  • miêu tả cụ thể
    Diode Standard 100V 250mA Surface Mount ESC
  • Hiện tại - Xếp Rò rỉ @ VR
    200nA @ 80V
  • Hiện tại - Trung bình sửa chữa (Io)
    250mA
  • Dung @ VR, F
    0.35pF @ 0V, 1MHz

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip thông báo 500 lần sa thải, với chi phí tái...

2024/12/4

Quanta: Nhu cầu AI tiếp tục mạnh mẽ, với dòng đơn ...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung giảm đáng kể việc sử dụng quang học trong s...

2024/12/2

Vishay sẽ đầu tư 51 triệu bảng vào NWF Wafer đã mu...

2024/11/29

Mối đe dọa thuế quan của Trump, NVIDIA, Nhà cung cấp...

2024/11/28

Intel sẽ nhận được 7,86 tỷ đô la trợ cấp theo Đ...

2024/11/27
Đang chuyển hàng
Sự chi trả
Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "BAS516,H3F".
BAS521BF

BAS521BF

Sự miêu tả: BAS521B/SOD523/SC-79

Nhà sản xuất của: Nexperia
Trong kho
RFQ
BAS416F

BAS416F

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD323

Nhà sản xuất của: Nexperia
Trong kho
RFQ
BAS5202VE6127XT

BAS5202VE6127XT

Sự miêu tả: DIODE SCHOTTKY 45V 750MA SC79-2

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
RFQ
BAS5202VH6433XTMA1

BAS5202VH6433XTMA1

Sự miêu tả: DIODE SCHOTTKY 45V 750MA SC79-2

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
RFQ
BAS5202VH6327XTSA1

BAS5202VH6327XTSA1

Sự miêu tả: DIODE SCHOTTKY 45V 750MA SC79-2

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
RFQ
BAS516,115

BAS516,115

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD523

Nhà sản xuất của: Nexperia
Trong kho
RFQ
BAS416Z

BAS416Z

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD323

Nhà sản xuất của: Nexperia
Trong kho
RFQ
BAS521,315

BAS521,315

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 300V 250MA SOD523

Nhà sản xuất của: Nexperia
Trong kho
RFQ
BAS521-7

BAS521-7

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 300V 250MA SOD523

Nhà sản xuất của: Diodes Incorporated
Trong kho
RFQ
BAS516,135

BAS516,135

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD523

Nhà sản xuất của: Nexperia
Trong kho
RFQ
BAS516,L3F

BAS516,L3F

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC

Nhà sản xuất của: Toshiba Semiconductor and Storage
Trong kho
RFQ
BAS516,315

BAS516,315

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD523

Nhà sản xuất của: Nexperia
Trong kho
RFQ
BAS521,135

BAS521,135

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 300V 250MA SOD523

Nhà sản xuất của: Nexperia
Trong kho
RFQ
BAS45A,143

BAS45A,143

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 125V 250MA DO34

Nhà sản xuất của: Nexperia
Trong kho
RFQ
BAS45AL,115

BAS45AL,115

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 125V 250MA LLDS

Nhà sản xuất của: Nexperia
Trong kho
RFQ
BAS416,115

BAS416,115

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD323

Nhà sản xuất của: Nexperia
Trong kho
RFQ
BAS45A,133

BAS45A,133

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 125V 250MA DO34

Nhà sản xuất của: Nexperia
Trong kho
RFQ
BAS516-TP

BAS516-TP

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD523

Nhà sản xuất của: Micro Commercial Components (MCC)
Trong kho
RFQ
BAS45A,113

BAS45A,113

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 125V 250MA DO34

Nhà sản xuất của: Nexperia
Trong kho
RFQ
BAS521,115

BAS521,115

Sự miêu tả: DIODE GEN PURP 300V 250MA SOD523

Nhà sản xuất của: Nexperia
Trong kho
RFQ
Là nhà phân phối thị trường mở công khai duy nhất, chúng tôi sở hữu một sự kết hợp độc đáo giữa quyền truy cập toàn cầu, chuyên môn của ngành sản xuất và chất lượng đã được chứng minh.Với điều này, chúng tôi có thể tạo các giải pháp chuỗi cung ứng tùy chỉnh, từ đầu đến cuối để tìm nguồn cung ứng và quản lý hàng tồn kho của các thành phần điện tử.
Theo chúng tôi
Điều khoản và điều kiệnChính sách vi phạmYêu cầu báo giáVề chúng tôiLiên hệ chúng tôiTin tứcBản đồ trang web

Chọn ngôn ngữ

Nhấp vào không gian để thoát

Ngôn ngữ hiện tại

Chọn quốc gia hoặc khu vực của bạn.