Cho khách truy cập tại Electronica 2024

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Hội trường C5 Gian hàng 220

Đăng ký trước

Cho khách truy cập tại Electronica 2024
Bạn có thể đăng ký tất cả! Cảm ơn bạn đã đặt một cuộc hẹn!
Chúng tôi sẽ gửi cho bạn vé gian hàng qua email sau khi chúng tôi đã xác minh đặt chỗ của bạn.
Nhà > Các sản phẩm > Sản phẩm bán dẫn rời > Diode - Bộ chỉnh lưu - Đơn > BYG10KHE3/TR
RFQs/đơn đặt hàng (0)
Tiếng Việt
Tiếng Việt
1916487Hình ảnh BYG10KHE3/TR.Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10KHE3/TR

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho
7200+
$0.132
Yêu cầu thông tin trực tuyến
Thông số kỹ thuật
  • Số Phần
    BYG10KHE3/TR
  • Nhà sản xuất / Thương hiệu
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Số lượng cổ phiếu
    Trong kho
  • Sự miêu tả
    DIODE AVALANCHE 800V 1.5A
  • Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS
    Không có chì / tuân thủ RoHS
  • Bảng dữ liệu
    1.BYG10KHE3/TR.pdf
    2.BYG10KHE3/TR.pdf
  • Voltage - Đỉnh ngược (Max)
    Avalanche
  • Voltage - Chuyển tiếp (VF) (Max) @ Nếu
    1.5A
  • Voltage - Breakdown
    DO-214AC (SMA)
  • Loạt
    -
  • Tình trạng RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Xếp Thời gian phục hồi (TRR)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Kháng @ Nếu, F
    -
  • sự phân cực
    DO-214AC, SMA
  • Nhiệt độ hoạt động - Junction
    4µs
  • gắn Loại
    Surface Mount
  • Mức độ nhạy ẩm (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Thời gian chuẩn của nhà sản xuất
    14 Weeks
  • Số phần của nhà sản xuất
    BYG10KHE3/TR
  • Mô tả mở rộng
    Diode Avalanche 800V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Cấu hình diode
    1µA @ 800V
  • Sự miêu tả
    DIODE AVALANCHE 800V 1.5A
  • Hiện tại - Xếp Rò rỉ @ VR
    1.15V @ 1.5A
  • Hiện tại - Trung bình sửa chữa (Io) (mỗi Diode)
    800V
  • Dung @ VR, F
    -55°C ~ 150°C

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip thông báo 500 lần sa thải, với chi phí tái...

2024/12/4

Quanta: Nhu cầu AI tiếp tục mạnh mẽ, với dòng đơn ...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung giảm đáng kể việc sử dụng quang học trong s...

2024/12/2

Vishay sẽ đầu tư 51 triệu bảng vào NWF Wafer đã mu...

2024/11/29

Mối đe dọa thuế quan của Trump, NVIDIA, Nhà cung cấp...

2024/11/28

Intel sẽ nhận được 7,86 tỷ đô la trợ cấp theo Đ...

2024/11/27

AMD ra mắt việc xây dựng giai đoạn thứ hai của Trun...

2024/11/26
Đang chuyển hàng
Sự chi trả
Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "BYG10KHE3/TR".
BYG10K-E3/TR

BYG10K-E3/TR

Sự miêu tả: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
BYG10KHE3_A/H

BYG10KHE3_A/H

Sự miêu tả: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
BYG10KHM3/TR3

BYG10KHM3/TR3

Sự miêu tả: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Nhà sản xuất của: Vishay Semiconductor Diodes Division
Trong kho
RFQ
BYG10M-E3/TR3

BYG10M-E3/TR3

Sự miêu tả: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
BYG10JHM3/TR

BYG10JHM3/TR

Sự miêu tả: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Nhà sản xuất của: Vishay Semiconductor Diodes Division
Trong kho
RFQ
BYG10K-M3/TR

BYG10K-M3/TR

Sự miêu tả: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
BYG10KHM3_A/I

BYG10KHM3_A/I

Sự miêu tả: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
BYG10KHE3/TR3

BYG10KHE3/TR3

Sự miêu tả: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Nhà sản xuất của: Vishay Semiconductor Diodes Division
Trong kho
RFQ
BYG10JHM3_A/H

BYG10JHM3_A/H

Sự miêu tả: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A DO214

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
BYG10M-M3/TR

BYG10M-M3/TR

Sự miêu tả: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
BYG10JHM3_A/I

BYG10JHM3_A/I

Sự miêu tả: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A DO214

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
BYG10M-E3/TR

BYG10M-E3/TR

Sự miêu tả: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
BYG10JHE3_A/I

BYG10JHE3_A/I

Sự miêu tả: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A DO214

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
BYG10KHM3_A/H

BYG10KHM3_A/H

Sự miêu tả: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
BYG10KHM3/TR

BYG10KHM3/TR

Sự miêu tả: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Nhà sản xuất của: Vishay Semiconductor Diodes Division
Trong kho
RFQ
BYG10JHE3_A/H

BYG10JHE3_A/H

Sự miêu tả: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A DO214

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
BYG10K-M3/TR3

BYG10K-M3/TR3

Sự miêu tả: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
BYG10KHE3_A/I

BYG10KHE3_A/I

Sự miêu tả: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
BYG10JHM3/TR3

BYG10JHM3/TR3

Sự miêu tả: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Nhà sản xuất của: Vishay Semiconductor Diodes Division
Trong kho
RFQ
BYG10K-E3/TR3

BYG10K-E3/TR3

Sự miêu tả: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Nhà sản xuất của: Electro-Films (EFI) / Vishay
Trong kho
RFQ
Là nhà phân phối thị trường mở công khai duy nhất, chúng tôi sở hữu một sự kết hợp độc đáo giữa quyền truy cập toàn cầu, chuyên môn của ngành sản xuất và chất lượng đã được chứng minh.Với điều này, chúng tôi có thể tạo các giải pháp chuỗi cung ứng tùy chỉnh, từ đầu đến cuối để tìm nguồn cung ứng và quản lý hàng tồn kho của các thành phần điện tử.
Theo chúng tôi
Điều khoản và điều kiệnChính sách vi phạmYêu cầu báo giáVề chúng tôiLiên hệ chúng tôiBản đồ trang web

Chọn ngôn ngữ

Nhấp vào không gian để thoát

Ngôn ngữ hiện tại

Chọn quốc gia hoặc khu vực của bạn.