Cho khách truy cập tại Electronica 2024

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Hội trường C5 Gian hàng 220

Đăng ký trước

Cho khách truy cập tại Electronica 2024
Bạn có thể đăng ký tất cả! Cảm ơn bạn đã đặt một cuộc hẹn!
Chúng tôi sẽ gửi cho bạn vé gian hàng qua email sau khi chúng tôi đã xác minh đặt chỗ của bạn.
Nhà > Các sản phẩm > Mạch tích hợp (ICs) > Ký ức > W9464G6KH-5
RFQs/đơn đặt hàng (0)
Tiếng Việt
Tiếng Việt
6767835Hình ảnh W9464G6KH-5.Winbond Electronics Corporation

W9464G6KH-5

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho
1+
$1.47
Yêu cầu thông tin trực tuyến
Thông số kỹ thuật
  • Số Phần
    W9464G6KH-5
  • Nhà sản xuất / Thương hiệu
  • Số lượng cổ phiếu
    Trong kho
  • Sự miêu tả
    IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II
  • Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS
    Không có chì / tuân thủ RoHS
  • Bảng dữ liệu
  • Viết Chu trình Thời gian - Từ, Trang
    15ns
  • Voltage - Cung cấp
    2.3 V ~ 2.7 V
  • Công nghệ
    SDRAM - DDR
  • Gói thiết bị nhà cung cấp
    66-TSOP II
  • Loạt
    -
  • Bao bì
    Tray
  • Gói / Case
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Nhiệt độ hoạt động
    0°C ~ 70°C (TA)
  • gắn Loại
    Surface Mount
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Loại bộ nhớ
    Volatile
  • Kích thước bộ nhớ
    64Mb (4M x 16)
  • Giao diện bộ nhớ
    Parallel
  • Định dạng bộ nhớ
    DRAM
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • miêu tả cụ thể
    SDRAM - DDR Memory IC 64Mb (4M x 16) Parallel 200MHz 55ns 66-TSOP II
  • Tần số đồng hồ
    200MHz
  • Thời gian truy cập
    55ns
W947D2HBJX5E TR

W947D2HBJX5E TR

Sự miêu tả: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Nhà sản xuất của: Winbond Electronics Corporation
Trong kho
W9464G6JH-5

W9464G6JH-5

Sự miêu tả: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Nhà sản xuất của: Winbond Electronics Corporation
Trong kho
W947D2HBJX5E

W947D2HBJX5E

Sự miêu tả: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Nhà sản xuất của: Winbond Electronics Corporation
Trong kho
W9464G6KH-5 TR

W9464G6KH-5 TR

Sự miêu tả: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Nhà sản xuất của: Winbond Electronics Corporation
Trong kho
W9464G6KH-5I

W9464G6KH-5I

Sự miêu tả: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Nhà sản xuất của: Winbond Electronics Corporation
Trong kho
W9425G6KH-4

W9425G6KH-4

Sự miêu tả: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Nhà sản xuất của: Winbond Electronics Corporation
Trong kho
W9425G6KH-5I

W9425G6KH-5I

Sự miêu tả: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Nhà sản xuất của: Winbond Electronics Corporation
Trong kho
W947D2HBJX5I TR

W947D2HBJX5I TR

Sự miêu tả: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Nhà sản xuất của: Winbond Electronics Corporation
Trong kho
W9464G6KH-5I TR

W9464G6KH-5I TR

Sự miêu tả: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Nhà sản xuất của: Winbond Electronics Corporation
Trong kho
W947D2HBJX5I

W947D2HBJX5I

Sự miêu tả: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Nhà sản xuất của: Winbond Electronics Corporation
Trong kho
W9464G6JH-5I

W9464G6JH-5I

Sự miêu tả: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Nhà sản xuất của: Winbond Electronics Corporation
Trong kho
W947D2HBJX6E TR

W947D2HBJX6E TR

Sự miêu tả: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Nhà sản xuất của: Winbond Electronics Corporation
Trong kho
W9425G6KH-5I TR

W9425G6KH-5I TR

Sự miêu tả: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Nhà sản xuất của: Winbond Electronics Corporation
Trong kho
W9464G6KH-4 TR

W9464G6KH-4 TR

Sự miêu tả: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Nhà sản xuất của: Winbond Electronics Corporation
Trong kho
W9464G6KH-4

W9464G6KH-4

Sự miêu tả: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Nhà sản xuất của: Winbond Electronics Corporation
Trong kho
W9464G6JH-4

W9464G6JH-4

Sự miêu tả: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Nhà sản xuất của: Winbond Electronics Corporation
Trong kho
W9425G6KH-5

W9425G6KH-5

Sự miêu tả: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Nhà sản xuất của: Winbond Electronics Corporation
Trong kho
W947D2HBJX6E

W947D2HBJX6E

Sự miêu tả: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Nhà sản xuất của: Winbond Electronics Corporation
Trong kho
W9425G6KH-5 TR

W9425G6KH-5 TR

Sự miêu tả: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Nhà sản xuất của: Winbond Electronics Corporation
Trong kho
W947D6HBHX5E

W947D6HBHX5E

Sự miêu tả: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Nhà sản xuất của: Winbond Electronics Corporation
Trong kho

Chọn ngôn ngữ

Nhấp vào không gian để thoát