9T12062A2613BBHFT

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Yêu cầu thông tin trực tuyến

Thông số kỹ thuật

Số Phần

9T12062A2613BBHFT
Nhà sản xuất / Thương hiệu

Yageo
Số lượng cổ phiếu

Trong kho
Sự miêu tả

RES SMD 261K OHM 0.1% 1/8W 1206
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS

Chứa chì / RoHS không tuân thủ
Bảng dữ liệu

9T12062A2613BBHFT.pdf
Lòng khoan dung

±0.1%
Hệ số nhiệt độ

±100ppm/°C
Gói thiết bị nhà cung cấp

1206
Size / Kích thước

0.122" L x 0.063" W (3.10mm x 1.60mm)
Loạt

RT
bảng điều chỉnh chế độ

261 kOhms
Power (Watts)

0.125W, 1/8W
Bao bì

Tape & Reel (TR)
Gói / Case

1206 (3216 Metric)
Vài cái tên khác

2390 411 42614
239041142614
Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 155°C
Số ĐẦU CẮM

2
Độ nhạy độ ẩm (MSL)

1 (Unlimited)
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Chiều cao - Ngồi (Max)

0.026" (0.65mm)
Tính năng

-
Tỷ lệ thất bại

-
miêu tả cụ thể

261 kOhms ±0.1% 0.125W, 1/8W Chip Resistor 1206 (3216 Metric) Thin Film
Thành phần

Thin Film

Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "9T12062A2613BBHFT".

9T12062A2612CBHFT

Sự miêu tả: RES SMD 26.1KOHM 0.25% 1/8W 1206

Nhà sản xuất của: Yageo

Trong kho

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Đăng ký trước

9T12062A2613BBHFT

Yêu cầu báo giá

Vishay sẽ đầu tư 51 triệu bảng vào NWF Wafer đã mu...

Mối đe dọa thuế quan của Trump, NVIDIA, Nhà cung cấp...

Intel sẽ nhận được 7,86 tỷ đô la trợ cấp theo Đ...

AMD ra mắt việc xây dựng giai đoạn thứ hai của Trun...

Card đồ họa NVIDIA RTX 5090 có diện tích GPU là 744m...

Nhân học nhận được khoản đầu tư 4 tỷ đô la kh...

Semi: Doanh số IC tăng 12% trong quý 3, tăng trưở...

Được biết, Kioxia sẽ nhận được sự chấp thuận ni...

Nền tảng quang học silicon mới nhất của SemicDolator ...

Ngành công nghiệp phục hồi chậm.Nhà cung cấp epitic...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Chọn ngôn ngữ

Ngôn ngữ hiện tại