STGB20NB41LZT4

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho

$4.44

10+

$3.99

100+

$3.269

500+

$2.783

Yêu cầu thông tin trực tuyến

Thông số kỹ thuật

Số Phần

STGB20NB41LZT4
Nhà sản xuất / Thương hiệu

STMicroelectronics
Số lượng cổ phiếu

Trong kho
Sự miêu tả

IGBT 442V 40A 200W D2PAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS

Không có chì / tuân thủ RoHS
Bảng dữ liệu

STGB20NB41LZT4.pdf
Mô hình ECAD
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

442V
VCE (trên) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 4.5V, 20A
Điều kiện kiểm tra

320V, 20A, 1 kOhm, 5V
Td (bật / tắt) @ 25 ° C

1µs/12.1µs
chuyển đổi năng lượng

5mJ (on), 12.9mJ (off)
Gói thiết bị nhà cung cấp

D2PAK
Loạt

PowerMESH™
Power - Max

200W
Bao bì

Cut Tape (CT)
Gói / Case

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vài cái tên khác

497-4351-1
Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại

Surface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL)

1 (Unlimited)
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Kiểu đầu vào

Standard
Loại IGBT

-
cổng phí

46nC
miêu tả cụ thể

IGBT 442V 40A 200W Surface Mount D2PAK
Hiện tại - Collector xung (Icm)

80A
Hiện tại - Collector (Ic) (Max)

40A
Số phần cơ sở

STG*20NB

Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "STGB20NB41LZT4".

STGB19NC60KDT4

Sự miêu tả: IGBT 600V 35A 125W D2PAK

Nhà sản xuất của: STMicroelectronics

Trong kho

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Đăng ký trước

STGB20NB41LZT4

Yêu cầu báo giá

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Chọn ngôn ngữ

Ngôn ngữ hiện tại