STGB20V60F

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho

1000+

$1.691

2000+

$1.61

Yêu cầu thông tin trực tuyến

Thông số kỹ thuật

Số Phần

STGB20V60F
Nhà sản xuất / Thương hiệu

STMicroelectronics
Số lượng cổ phiếu

Trong kho
Sự miêu tả

IGBT 600V 40A 167W D2PAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS

Không có chì / tuân thủ RoHS
Bảng dữ liệu

STGB20V60F.pdf
Mô hình ECAD
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

600V
VCE (trên) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 20A
Điều kiện kiểm tra

400V, 20A, 15V
Td (bật / tắt) @ 25 ° C

38ns/149ns
chuyển đổi năng lượng

200µJ (on), 130µJ (off)
Gói thiết bị nhà cung cấp

D2PAK
Loạt

-
Power - Max

167W
Bao bì

Tape & Reel (TR)
Gói / Case

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vài cái tên khác

497-14977-2
Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại

Surface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL)

1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất

42 Weeks
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Kiểu đầu vào

Standard
Loại IGBT

Trench Field Stop
cổng phí

116nC
miêu tả cụ thể

IGBT Trench Field Stop 600V 40A 167W Surface Mount D2PAK
Hiện tại - Collector xung (Icm)

80A
Hiện tại - Collector (Ic) (Max)

40A

Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "STGB20V60F".

STGB20NB37LZ

Sự miêu tả: IGBT 425V 40A 200W D2PAK

Nhà sản xuất của: STMicroelectronics

Trong kho

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Đăng ký trước

STGB20V60F

Yêu cầu báo giá

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Chọn ngôn ngữ

Ngôn ngữ hiện tại