STGB3NB60FDT4

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho

$1.53

10+

$1.372

100+

$1.07

500+

$0.884

Yêu cầu thông tin trực tuyến

Thông số kỹ thuật

Số Phần

STGB3NB60FDT4
Nhà sản xuất / Thương hiệu

STMicroelectronics
Số lượng cổ phiếu

Trong kho
Sự miêu tả

IGBT 600V 6A 68W D2PAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS

Chứa chì / RoHS không tuân thủ
Bảng dữ liệu

STGB3NB60FDT4.pdf
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

600V
VCE (trên) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 3A
Điều kiện kiểm tra

480V, 3A, 10 Ohm, 15V
Td (bật / tắt) @ 25 ° C

12.5ns/105ns
chuyển đổi năng lượng

125µJ (off)
Gói thiết bị nhà cung cấp

D2PAK
Loạt

PowerMESH™
Xếp Thời gian phục hồi (TRR)

45ns
Power - Max

68W
Bao bì

Cut Tape (CT)
Gói / Case

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vài cái tên khác

497-2449-1
Nhiệt độ hoạt động

150°C (TJ)
gắn Loại

Surface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL)

1 (Unlimited)
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Kiểu đầu vào

Standard
Loại IGBT

-
cổng phí

16nC
miêu tả cụ thể

IGBT 600V 6A 68W Surface Mount D2PAK
Hiện tại - Collector xung (Icm)

24A
Hiện tại - Collector (Ic) (Max)

6A
Số phần cơ sở

STG*3NB

Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "STGB3NB60FDT4".

STGB6M65DF2

Sự miêu tả: IGBT TRENCH 650V 12A D2PAK

Nhà sản xuất của: STMicroelectronics

Trong kho

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Đăng ký trước

STGB3NB60FDT4

Yêu cầu báo giá

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Chọn ngôn ngữ

Ngôn ngữ hiện tại