STGB6M65DF2

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho

2000+

$0.647

Yêu cầu thông tin trực tuyến

Thông số kỹ thuật

Số Phần

STGB6M65DF2
Nhà sản xuất / Thương hiệu

STMicroelectronics
Số lượng cổ phiếu

Trong kho
Sự miêu tả

IGBT TRENCH 650V 12A D2PAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS

Không có chì / tuân thủ RoHS
Bảng dữ liệu

STGB6M65DF2.pdf
Mô hình ECAD
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

650V
VCE (trên) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 6A
Điều kiện kiểm tra

400V, 6A, 22 Ohm, 15V
Td (bật / tắt) @ 25 ° C

15ns/90ns
chuyển đổi năng lượng

36µJ (on), 200µJ (off)
Gói thiết bị nhà cung cấp

D2PAK
Loạt

M
Xếp Thời gian phục hồi (TRR)

140ns
Power - Max

88W
Gói / Case

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại

Surface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL)

1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất

42 Weeks
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Kiểu đầu vào

Standard
Loại IGBT

Trench Field Stop
cổng phí

21.2nC
miêu tả cụ thể

IGBT Trench Field Stop 650V 12A 88W Surface Mount D2PAK
Hiện tại - Collector xung (Icm)

24A
Hiện tại - Collector (Ic) (Max)

12A

Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "STGB6M65DF2".

STGB3NB60KDT4

Sự miêu tả: IGBT 600V 10A 50W D2PAK

Nhà sản xuất của: STMicroelectronics

Trong kho

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Đăng ký trước

STGB6M65DF2

Yêu cầu báo giá

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

Chọn ngôn ngữ

Ngôn ngữ hiện tại