Cho khách truy cập tại Electronica 2024

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Hội trường C5 Gian hàng 220

Đăng ký trước

*Tên công ty
*Tên
*Tiêu đề

*Địa chỉ email
*Số điện thoại

*Quốc gia
*Cửa sổ liên lạc
*Ngày sự kiện

*Thông điệp

Cho khách truy cập tại Electronica 2024

Bạn có thể đăng ký tất cả! Cảm ơn bạn đã đặt một cuộc hẹn!
Chúng tôi sẽ gửi cho bạn vé gian hàng qua email sau khi chúng tôi đã xác minh đặt chỗ của bạn.

Nhà > Các sản phẩm > Sản phẩm bán dẫn rời > Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn > IPB080N06N G

RFQs/đơn đặt hàng (0)

Tiếng Việt

Tiếng Việt

2653711

Hình ảnh IPB080N06N G.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB080N06N G

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho

1+

$2.55

10+

$2.303

Yêu cầu thông tin trực tuyến

Thông số kỹ thuật

Số Phần

IPB080N06N G
Nhà sản xuất / Thương hiệu

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Số lượng cổ phiếu

Trong kho
Sự miêu tả

MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS

Không có chì / tuân thủ RoHS
Bảng dữ liệu

IPB080N06N G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 150µA
Vgs (Tối đa)

±20V
Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp

PG-TO263-3-2
Loạt

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS

7.7 mOhm @ 80A, 10V
Điện cực phân tán (Max)

214W (Tc)
Bao bì

Original-Reel®
Gói / Case

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vài cái tên khác

IPB080N06NGINDKR
Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại

Surface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL)

1 (Unlimited)
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

3500pF @ 30V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs

93nC @ 10V
Loại FET

N-Channel
FET Feature

-
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss)

60V
miêu tả cụ thể

N-Channel 60V 80A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

Tin tức liên quan
Đang chuyển hàng
Thanh toán

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

Đang chuyển hàng

Sự chi trả

Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "IPB080N06N G".

IPB097N08N3 G

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB083N15N5LFATMA1

IPB083N15N5LFATMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB06N03LB

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB080N03LGATMA1

IPB080N03LGATMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB072N15N3GATMA1

IPB072N15N3GATMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB072N15N3GE8187ATMA1

IPB072N15N3GE8187ATMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB08CN10N G

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 100V 95A TO263-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB06N03LAT

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB083N10N3GATMA1

IPB083N10N3GATMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB096N03LGATMA1

IPB096N03LGATMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 30V 35A TO-263-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB081N06L3GATMA1

IPB081N06L3GATMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB093N04LGATMA1

IPB093N04LGATMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB090N06N3GATMA1

IPB090N06N3GATMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB073N15N5ATMA1

IPB073N15N5ATMA1

Sự miêu tả: MV POWER MOS

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB070N06L G

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB06N03LA G

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB06N03LB G

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB08CNE8N G

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 85V 95A TO263-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB075N04LGATMA1

IPB075N04LGATMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB085N06L G

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

Là nhà phân phối thị trường mở công khai duy nhất, chúng tôi sở hữu một sự kết hợp độc đáo giữa quyền truy cập toàn cầu, chuyên môn của ngành sản xuất và chất lượng đã được chứng minh.Với điều này, chúng tôi có thể tạo các giải pháp chuỗi cung ứng tùy chỉnh, từ đầu đến cuối để tìm nguồn cung ứng và quản lý hàng tồn kho của các thành phần điện tử.

Theo chúng tôi

Điều khoản và điều kiện Chính sách vi phạm Yêu cầu báo giá Về chúng tôi Liên hệ chúng tôi Bản đồ trang web

Chọn ngôn ngữ

Nhấp vào không gian để thoát

Ngôn ngữ hiện tại

Chọn quốc gia hoặc khu vực của bạn.