Cho khách truy cập tại Electronica 2024

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Hội trường C5 Gian hàng 220

Đăng ký trước

Cho khách truy cập tại Electronica 2024
Bạn có thể đăng ký tất cả! Cảm ơn bạn đã đặt một cuộc hẹn!
Chúng tôi sẽ gửi cho bạn vé gian hàng qua email sau khi chúng tôi đã xác minh đặt chỗ của bạn.
Nhà > Các sản phẩm > Sản phẩm bán dẫn rời > Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn > IPB090N06N3GATMA1
RFQs/đơn đặt hàng (0)
Tiếng Việt
Tiếng Việt
86841Hình ảnh IPB090N06N3GATMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB090N06N3GATMA1

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Giá tham khảo (Đô la Mỹ)

Trong kho
1000+
$0.539
Yêu cầu thông tin trực tuyến
Thông số kỹ thuật
  • Số Phần
    IPB090N06N3GATMA1
  • Nhà sản xuất / Thương hiệu
  • Số lượng cổ phiếu
    Trong kho
  • Sự miêu tả
    MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
  • Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS
    Không có chì / tuân thủ RoHS
  • Bảng dữ liệu
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 34µA
  • Vgs (Tối đa)
    ±20V
  • Công nghệ
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Gói thiết bị nhà cung cấp
    D²PAK (TO-263AB)
  • Loạt
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, VGS
    9 mOhm @ 50A, 10V
  • Điện cực phân tán (Max)
    71W (Tc)
  • Bao bì
    Tape & Reel (TR)
  • Gói / Case
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Vài cái tên khác
    IPB090N06N3 G
    IPB090N06N3 G-ND
    IPB090N06N3 GTR-ND
    IPB090N06N3G
    IPB090N06N3GATMA1TR
    SP000398042
  • Nhiệt độ hoạt động
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • gắn Loại
    Surface Mount
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
    2900pF @ 30V
  • Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs
    36nC @ 10V
  • Loại FET
    N-Channel
  • FET Feature
    -
  • Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Xả để nguồn điện áp (Vdss)
    60V
  • miêu tả cụ thể
    N-Channel 60V 50A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C
    50A (Tc)
IPB08CN10N G

IPB08CN10N G

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 100V 95A TO263-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
IPB080N03LGATMA1

IPB080N03LGATMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
IPB100N04S204ATMA4

IPB100N04S204ATMA4

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
IPB080N06N G

IPB080N06N G

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
IPB075N04LGATMA1

IPB075N04LGATMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
IPB083N10N3GATMA1

IPB083N10N3GATMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
IPB100N04S204ATMA1

IPB100N04S204ATMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
IPB100N04S2L03ATMA1

IPB100N04S2L03ATMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
IPB081N06L3GATMA1

IPB081N06L3GATMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
IPB09N03LA

IPB09N03LA

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
IPB100N04S2L03ATMA2

IPB100N04S2L03ATMA2

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
IPB09N03LA G

IPB09N03LA G

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
IPB096N03LGATMA1

IPB096N03LGATMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 30V 35A TO-263-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
IPB083N15N5LFATMA1

IPB083N15N5LFATMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
IPB085N06L G

IPB085N06L G

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
IPB09N03LAT

IPB09N03LAT

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
IPB073N15N5ATMA1

IPB073N15N5ATMA1

Sự miêu tả: MV POWER MOS

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
IPB08CNE8N G

IPB08CNE8N G

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 85V 95A TO263-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
IPB097N08N3 G

IPB097N08N3 G

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho
IPB093N04LGATMA1

IPB093N04LGATMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)
Trong kho

Chọn ngôn ngữ

Nhấp vào không gian để thoát