Cho khách truy cập tại Electronica 2024

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Hội trường C5 Gian hàng 220

Đăng ký trước

*Tên công ty
*Tên
*Tiêu đề

*Địa chỉ email
*Số điện thoại

*Quốc gia
*Cửa sổ liên lạc
*Ngày sự kiện

*Thông điệp

Cho khách truy cập tại Electronica 2024

Bạn có thể đăng ký tất cả! Cảm ơn bạn đã đặt một cuộc hẹn!
Chúng tôi sẽ gửi cho bạn vé gian hàng qua email sau khi chúng tôi đã xác minh đặt chỗ của bạn.

Nhà > Các sản phẩm > Sản phẩm bán dẫn rời > Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn > IPB097N08N3 G

RFQs/đơn đặt hàng (0)

Tiếng Việt

Tiếng Việt

3777874

Hình ảnh IPB097N08N3 G.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB097N08N3 G

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com

Yêu cầu thông tin trực tuyến

Thông số kỹ thuật

Số Phần

IPB097N08N3 G
Nhà sản xuất / Thương hiệu

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Số lượng cổ phiếu

Trong kho
Sự miêu tả

MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS

Không có chì / tuân thủ RoHS
Bảng dữ liệu

IPB097N08N3 G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3.5V @ 46µA
Vgs (Tối đa)

±20V
Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp

D²PAK (TO-263AB)
Loạt

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS

9.7 mOhm @ 46A, 10V
Điện cực phân tán (Max)

100W (Tc)
Bao bì

Tape & Reel (TR)
Gói / Case

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vài cái tên khác

IPB097N08N3 G-ND
IPB097N08N3 GTR-ND
IPB097N08N3G
IPB097N08N3GTR
Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại

Surface Mount
Độ nhạy độ ẩm (MSL)

1 (Unlimited)
Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

2410pF @ 40V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V
Loại FET

N-Channel
FET Feature

-
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss)

80V
miêu tả cụ thể

N-Channel 80V 70A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C

70A (Tc)

Tin tức liên quan
Đang chuyển hàng
Thanh toán

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

Đang chuyển hàng

Sự chi trả

Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "IPB097N08N3 G".

IPB080N06N G

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB083N15N5LFATMA1

IPB083N15N5LFATMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB100N04S4H2ATMA1

IPB100N04S4H2ATMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3-2

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB096N03LGATMA1

IPB096N03LGATMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 30V 35A TO-263-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB100N04S204ATMA1

IPB100N04S204ATMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB093N04LGATMA1

IPB093N04LGATMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB100N04S303ATMA1

IPB100N04S303ATMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB081N06L3GATMA1

IPB081N06L3GATMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB100N04S204ATMA4

IPB100N04S204ATMA4

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB083N10N3GATMA1

IPB083N10N3GATMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB09N03LA G

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB09N03LAT

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB100N04S2L03ATMA1

IPB100N04S2L03ATMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB08CNE8N G

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 85V 95A TO263-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB100N06S205ATMA1

IPB100N06S205ATMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB090N06N3GATMA1

IPB090N06N3GATMA1

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB09N03LA

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB08CN10N G

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 100V 95A TO263-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB085N06L G

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

IPB100N04S2L03ATMA2

IPB100N04S2L03ATMA2

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

Nhà sản xuất của: International Rectifier (Infineon Technologies)

Trong kho

Là nhà phân phối thị trường mở công khai duy nhất, chúng tôi sở hữu một sự kết hợp độc đáo giữa quyền truy cập toàn cầu, chuyên môn của ngành sản xuất và chất lượng đã được chứng minh.Với điều này, chúng tôi có thể tạo các giải pháp chuỗi cung ứng tùy chỉnh, từ đầu đến cuối để tìm nguồn cung ứng và quản lý hàng tồn kho của các thành phần điện tử.

Theo chúng tôi

Điều khoản và điều kiện Chính sách vi phạm Yêu cầu báo giá Về chúng tôi Liên hệ chúng tôi Bản đồ trang web

Chọn ngôn ngữ

Nhấp vào không gian để thoát

Ngôn ngữ hiện tại

Chọn quốc gia hoặc khu vực của bạn.