Cho khách truy cập tại Electronica 2024

Đặt thời gian của bạn ngay bây giờ!

Tất cả chỉ cần một vài cú nhấp chuột để đặt chỗ của bạn và nhận vé gian hàng

Hội trường C5 Gian hàng 220

Đăng ký trước

Cho khách truy cập tại Electronica 2024
Bạn có thể đăng ký tất cả! Cảm ơn bạn đã đặt một cuộc hẹn!
Chúng tôi sẽ gửi cho bạn vé gian hàng qua email sau khi chúng tôi đã xác minh đặt chỗ của bạn.
Nhà > Các sản phẩm > Sản phẩm bán dẫn rời > Diode - Bộ chỉnh lưu - Mảng > APT10SCD120BCT
RFQs/đơn đặt hàng (0)
Tiếng Việt
Tiếng Việt
862369Hình ảnh APT10SCD120BCT.Microsemi

APT10SCD120BCT

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc với thông tin liên hệ của bạn. Bấm "Gửi RFQ" Chúng tôi sẽ liên hệ với bạn trong thời gian ngắn qua email.Hoặc gửi email cho chúng tôi:info@ftcelectronics.com
Yêu cầu thông tin trực tuyến
Thông số kỹ thuật
  • Số Phần
    APT10SCD120BCT
  • Nhà sản xuất / Thương hiệu
    Microsemi
  • Số lượng cổ phiếu
    Trong kho
  • Sự miêu tả
    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247
  • Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS
    Không có chì / tuân thủ RoHS
  • Bảng dữ liệu
    APT10SCD120BCT.pdf
  • Mô hình ECAD
  • Voltage - Chuyển tiếp (VF) (Max) @ Nếu
    1.8V @ 10A
  • Voltage - DC Xếp (VR) (Max)
    1200V
  • Gói thiết bị nhà cung cấp
    TO-247
  • Tốc độ
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Loạt
    -
  • Xếp Thời gian phục hồi (TRR)
    0ns
  • Bao bì
    Tube
  • Gói / Case
    TO-247-3
  • Nhiệt độ hoạt động - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • gắn Loại
    Through Hole
  • Độ nhạy độ ẩm (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Loại diode
    Silicon Carbide Schottky
  • Cấu hình diode
    1 Pair Common Cathode
  • miêu tả cụ thể
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200V 36A (DC) Through Hole TO-247-3
  • Hiện tại - Xếp Rò rỉ @ VR
    200µA @ 1200V
  • Hiện tại - Trung bình sửa chữa (Io) (mỗi Diode)
    36A (DC)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip thông báo 500 lần sa thải, với chi phí tái...

2024/12/4

Quanta: Nhu cầu AI tiếp tục mạnh mẽ, với dòng đơn ...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung giảm đáng kể việc sử dụng quang học trong s...

2024/12/2

Vishay sẽ đầu tư 51 triệu bảng vào NWF Wafer đã mu...

2024/11/29

Mối đe dọa thuế quan của Trump, NVIDIA, Nhà cung cấp...

2024/11/28

Intel sẽ nhận được 7,86 tỷ đô la trợ cấp theo Đ...

2024/11/27
Đang chuyển hàng
Sự chi trả
Sau đây là các sản phẩm liên quan đến "APT10SCD120BCT".
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

Sự miêu tả: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APT11N80BC3G

APT11N80BC3G

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APT11GF120BRDQ1G

APT11GF120BRDQ1G

Sự miêu tả: IGBT 1200V 25A 156W TO247

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APT11GF120KRG

APT11GF120KRG

Sự miêu tả: IGBT 1200V 25A 156W TO220

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APT11N80KC3G

APT11N80KC3G

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 800V 11A TO-220

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APT11F80S

APT11F80S

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APT10SCD65K

APT10SCD65K

Sự miêu tả: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APT102GA60L

APT102GA60L

Sự miêu tả: IGBT 600V 183A 780W TO264

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT

Sự miêu tả: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APT10SCD120K

APT10SCD120K

Sự miêu tả: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APT11GP60BDQBG

APT11GP60BDQBG

Sự miêu tả: IGBT 600V 41A 187W TO247

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APT10SCD120B

APT10SCD120B

Sự miêu tả: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APT11F80B

APT11F80B

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

Sự miêu tả: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Nhà sản xuất của: Microsemi
Trong kho
RFQ
Là nhà phân phối thị trường mở công khai duy nhất, chúng tôi sở hữu một sự kết hợp độc đáo giữa quyền truy cập toàn cầu, chuyên môn của ngành sản xuất và chất lượng đã được chứng minh.Với điều này, chúng tôi có thể tạo các giải pháp chuỗi cung ứng tùy chỉnh, từ đầu đến cuối để tìm nguồn cung ứng và quản lý hàng tồn kho của các thành phần điện tử.
Theo chúng tôi
Điều khoản và điều kiệnChính sách vi phạmYêu cầu báo giáVề chúng tôiLiên hệ chúng tôiTin tứcBản đồ trang web

Chọn ngôn ngữ

Nhấp vào không gian để thoát

Ngôn ngữ hiện tại

Chọn quốc gia hoặc khu vực của bạn.